STMicroelectronics IGBT

結果: 4
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
封裝/外殼
安裝風格
配置
集電極-發射極最大電壓VCEO
集電極-發射極飽和電壓
柵極發射機最大電壓
連續集電極電流在25 C
Pd - 功率消耗
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
STMicroelectronics IGBT 2A 6V SHORT CIRCUIT RUGGED IGBT
規格書
1,610庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-220FP-3 Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 35 A 32 W - 55 C + 150 C STGF19NC60KD Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate H series 600V 15A HiSpd
規格書
2,200庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-220-3 FP Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 30 A 30 W - 55 C + 175 C STGF15H60DF Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate H series 600V 10A HiSpd
規格書
169庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-220-3 FP Through Hole Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 20 A 30 W - 55 C + 175 C STGF10H60DF Tube
STMicroelectronics IGBT 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
規格書
660庫存量
2,000預期27/4/2026
最少： 1
倍數： 1

Si TO-220-3 FP Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 40 A 37 W - 55 C + 175 C STGF20H60DF Tube