儲能解決方案

安森美 (onsemi) 儲能解決方案可捕獲一次產生的能量,供日後使用。這包括將能量從難以儲存的形式轉換為更方便或更經濟的儲存形式。添加電池可以儲存額外的電力,以便在需要時使用。

結果: 7
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 技術 安裝風格 封裝/外殼 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 系列 封裝
onsemi MOSFET模組 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES 25庫存量
最少: 1
倍數: 1

SiC Press Fit PIM-36 1.2 kV 350 A 5.88 mohms - 10 V, + 22 V 2.4 V - 40 C + 175 C 979 W NXH003P120M3F2PTHG Tray
onsemi MOSFET模組 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES 54庫存量
最少: 1
倍數: 1

SiC Press Fit PIM-36 1.2 kV 435 A 5.88 mohms - 10 V, + 22 V 2.4 V - 40 C + 175 C 1.482 kW NXH003P120M3F2PTNG Tray
onsemi MOSFET模組 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES 26庫存量
最少: 1
倍數: 1

SiC Press Fit PIM-36 1.2 kV 284 A 7.5 mohms - 10 V, + 22 V 2.8 V - 40 C + 175 C 785 W NXH004P120M3F2PTHG Tray
onsemi MOSFET模組 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES 10庫存量
最少: 1
倍數: 1

SiC NXH004P120M3F2PTNG Tray
onsemi MOSFET模組 8M 1200V 40A M3S SIC TNPC MODULE 28庫存量
最少: 1
倍數: 1

SiC Press Fit PIM-29 1.2 kV 129 A 8.5 mOhms - 10 V, + 22 V 1.8 V - 40 C + 150 C 371 W NXH008T120M3F2PTHG Tray
onsemi MOSFET模組 11M 1200V 40A M3S SIC TNPC MODULE 30庫存量
最少: 1
倍數: 1

SiC Press Fit PIM-29 1.2 kV 91 A 11.9 mOhms - 10 V, + 22 V 1.8 V - 40 C + 150 C 272 W NXH011T120M3F2PTHG Tray

onsemi MOSFET模組 30KW Q1BOOST FULL SIC 6庫存量
最少: 1
倍數: 1

SiC - 40 C + 150 C 156 W NXH40B120MNQ1 Tray