NXH003P120M3F2PTNG

Name: onsemi NXH003P120M3F2PTNG
Brand: onsemi
SKU: 863-H003P120M3F2PTNG
Price: 2016.78 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

863-H003P120M3F2PTNG

製造商編號：

NXH003P120M3F2PTNG

製造商：

onsemi

說明：

MOSFET模組 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES

規格書:

NXH003P120M3F2PTNG 規格書

ECAD模型:

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	HK$2,016.78	HK$2,016.78
	HK$1,998.53	HK$19,985.30

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	MOSFET模組
RoHS:
技術:	SiC
安裝風格:	Press Fit
封裝/外殼:	PIM-36
Vds - 漏-源擊穿電壓:	1.2 kV
Id - C連續漏極電流:	435 A
Rds On - 漏-源電阻:	5.88 mohms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	2.4 V
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	1.482 kW
系列:	NXH003P120M3F2PTNG
封裝:	Tray
品牌:	onsemi
配置:	Half Bridge
下降時間:	16 ns
產品類型:	MOSFET Modules
上升時間:	17 ns
原廠包裝數量:	20
子類別:	Discrete and Power Modules
公司名稱:	EliteSiC
類型:	Half Bridge
標準斷開延遲時間:	144 ns
標準開啟延遲時間:	49 ns
Vf - 順向電壓:	4.8 V

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

NXH003P120M3F2PTNG 規格書

CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NXH00xP120M3F2PTxG EliteSIC半橋模組

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