1200V CoolSiC™ M1H Modules

Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ M1H Modules offer EV Charging and other inverter designers opportunities to achieve never-before-seen efficiency and power density levels.

結果: 8
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 技術 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 系列 封裝
Infineon Technologies MOSFET模組 3-Level 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module 25庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si SMD/SMT - 40 C + 150 C M1H Tray
Infineon Technologies MOSFET模組 EasyDUAL module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC / TIM 18庫存量
最少: 1
倍數: 1

SiC Press Fit N-Channel 2 Channel 1.2 kV 200 A 6 mOhms - 10 V, + 23 V 5.15 V - 40 C + 175 C 20 mW CoolSiC Tray
Infineon Technologies MOSFET模組 EasyPACK 2B module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC 30庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si Press Fit N-Channel 1.2 kV 40 A - 10 V, 23 V 5.15 V 20 mW EasyPACK 2B Tray
Infineon Technologies MOSFET模組 CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V 60庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si 1.2 kV 170 A - 10 V, + 23 V 5.15 V M1H Tray
Infineon Technologies MOSFET模組 EASY 7庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si Screw Mount 1.2 kV 170 A - 10 V, + 23 V 5.15 V M1H Tray
Infineon Technologies MOSFET模組 Half-bridge 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module 16庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si SMD/SMT - 40 C + 175 C 20 mW M1H Tray

Infineon Technologies MOSFET模組 Sixpack 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module 36庫存量
最少: 1
倍數: 1
Si - 40 C + 175 C M1H Tray
Infineon Technologies MOSFET模組 CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
15預期28/5/2026
最少: 1
倍數: 1

Si Screw Mount 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm N-Channel 1.2 kV 200 A 5.63 mOhms - 10 V, + 20 V 5.55 V - 40 C + 175 C 20 mW M1H Tray