1200V CoolSiC™模組

英飛凌科技1200V CoolSiC™模組為具備出色效率與系統彈性等級的碳化矽 (SiC) MOSFET模組。這些模組採用近閾值電路 (NTC) 和PressFIT接點技術。此CoolSiC模組具有高電流密度、同級最佳的切換和傳導損耗以及低電感設計的特點,可提供高頻運作、更高的功率密度,以及經過最佳化的開發週期時間與成本。

結果: 2
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 產品 集電極-發射極最大電壓VCEO 集電極-發射極飽和電壓 連續集電極電流在25 C 柵射極漏電電流 Pd - 功率消耗 最低工作溫度 最高工作溫度 封裝
Infineon Technologies IGBT 模組 EconoPACK 3 module with TRENCHSTOP IGBT7 and CoolSiC Schottky diode and NTC 28庫存量
最少: 1
倍數: 1

IGBT Module 1.2 kV 1.69 V 255 A 100 nA 20 mW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 HYBRID PACK DRIVE G1 SIC 無庫存前置作業時間 44 週
最少: 12
倍數: 12

Si/SiC Hybrid Modules Tray