NXH100B120H3Q0雙升壓功率模組

安森美 (onsemi) NXH100B120H3Q0雙升壓功率模組具高效率和優異的可靠性。NXH100B120H3Q0整合式電場截止溝槽IGBT和SiC二極體提供更低的傳導耗損和切換耗損。NXH100B120H3Q0雙升壓功率模組是儲能系統、太陽能逆變器和不斷電系統應用的理想選擇。

結果: 2
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 產品 配置 集電極-發射極最大電壓VCEO 集電極-發射極飽和電壓 連續集電極電流在25 C 柵射極漏電電流 Pd - 功率消耗 封裝/外殼 最低工作溫度 最高工作溫度 封裝
onsemi IGBT 模組 PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (PRESS-FIT PIN TIM) 28庫存量
最少: 1
倍數: 1

SiC IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.77 V 50 A 800 nA 186 W Q0BOOST - 40 C + 150 C Tray
onsemi IGBT 模組 PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (SOLDER PIN TIM) 96工廠有庫存
最少: 24
倍數: 24

SiC IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.77 V 50 A 800 nA 186 W Q0BOOST - 40 C + 150 C Tray