CoolSiC 離散半導體模組

結果: 11
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 產品 類型 技術 Vf - 順向電壓 Vgs - 閘極-源極電壓 安裝風格 封裝/外殼 最低工作溫度 最高工作溫度 系列 封裝
Infineon Technologies 離散半導體模組 EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and High Current Pin / NTC 13庫存量
8在途量
最少: 1
倍數: 1

EasyPACK Modules SiC 4.4 V - 10 V, + 23 V Press Fit - 40 C + 175 C EasyPACK Tray
Infineon Technologies 離散半導體模組 CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V 20庫存量
最少: 1
倍數: 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies 離散半導體模組 CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V 16庫存量
最少: 1
倍數: 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies 離散半導體模組 MEDIUM POWER 62MM 13庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si M1H Tray
Infineon Technologies 離散半導體模組 CoolSiC MOSFET half bridge module 2000 V 4庫存量
最少: 1
倍數: 1

Half Bridge Si 62 mm C-Series Tray
Infineon Technologies 離散半導體模組 Half-bridge 1200 V CoolSiC MOSFET Module 30庫存量
最少: 1
倍數: 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies 離散半導體模組 MEDIUM POWER 62MM 16庫存量
16預期26/3/2026
最少: 1
倍數: 1

Si M1H Tray
Infineon Technologies 離散半導體模組 1200V, 62mm Module with CoolSiC Trench MOSFET 2庫存量
10預期18/3/2026
最少: 1
倍數: 1

CoolSiC Trench MOSFET Half Bridge SiC - 10 V, 23 V Stud Mount - 40 C + 175 C M1H Tray
Infineon Technologies 離散半導體模組 HybridPACK DSC S module with SiC MOSFET and NTC
120在途量
最少: 1
倍數: 1

Modules 1 N-Channel SiC 5.15 V - 5 V, + 20 V Press Fit HybridPACK - 40 C + 175 C Tube
Infineon Technologies 離散半導體模組 EasyPACK 2B module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC / TIM
18在途量
最少: 1
倍數: 1

Module SiC 4.4 V - 7 V, + 20 V Press Fit EasyPACK - 40 C + 150 C EasyPACK
Infineon Technologies 離散半導體模組 MEDIUM POWER 62MM 無庫存前置作業時間 14 週
最少: 10
倍數: 10

Si 62 mm C-Series Tray