NXH004P120M3F2PNG

onsemi
863-XH004P120M3F2PNG
NXH004P120M3F2PNG

製造商：

說明：
離散半導體模組 1200V 4MOHM M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES

壽命週期:
新產品:
該製造商的新產品。
規格書:
ECAD模型:
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單價:
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估計關稅:
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Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$1,983.24 HK$1,983.24
HK$1,807.25 HK$18,072.50

商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: 離散半導體模組
RoHS:  
SiC Modules
Half Bridge
SiC
5.1 V
- 10 V, + 22 V
Press Fit
PIM-36
- 40 C
+ 175 C
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Tray
品牌: onsemi
配置: Half Bridge
下降時間: 15 ns
Id - C連續漏極電流: 338 A
Pd - 功率消耗 : 1.098 kW
產品類型: Discrete Semiconductor Modules
Rds On - 漏-源電阻: 5.5 mOhms
上升時間: 15 ns
原廠包裝數量: 20
子類別: Discrete Semiconductor Modules
公司名稱: EliteSiC
晶體管極性: N-Channel
標準斷開延遲時間: 127 ns
標準開啟延遲時間: 49 ns
Vds - 漏-源擊穿電壓: 1.2 kV
Vgs th - 門源門限電壓 : 2.8 V
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所選屬性: 0

規格書

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

儲能解決方案

安森美 (onsemi) 儲能解決方案可捕獲一次產生的能量，供日後使用。這包括將能量從難以儲存的形式轉換為更方便或更經濟的儲存形式。添加電池可以儲存額外的電力，以便在需要時使用。

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