1200V CoolSiC™模組

英飛凌科技1200V CoolSiC™模組為具備出色效率與系統彈性等級的碳化矽 (SiC) MOSFET模組。這些模組採用近閾值電路 (NTC) 和PressFIT接點技術。此CoolSiC模組具有高電流密度、同級最佳的切換和傳導損耗以及低電感設計的特點,可提供高頻運作、更高的功率密度,以及經過最佳化的開發週期時間與成本。

結果: 20
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 產品 類型 技術 Vf - 順向電壓 Vr - 反向電壓 Vgs - 閘極-源極電壓 安裝風格 最低工作溫度 最高工作溫度 系列 封裝
Infineon Technologies 離散半導體模組 HYBRID PACK DRIVE G1 SIC 20庫存量
最少: 1
倍數: 1
SiC Modules SiC Tray
Infineon Technologies 離散半導體模組 EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC 24庫存量
最少: 1
倍數: 1

MOSFET Modules Si 4.2 V 1.2 kV - 7 V to + 20 V SMD/SMT Tray
Infineon Technologies 離散半導體模組 EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC 4庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si 4.2 V - 10 V, + 23 V Press Fit - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies 離散半導體模組 CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V 20庫存量
最少: 1
倍數: 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies 離散半導體模組 CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V 16庫存量
最少: 1
倍數: 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies 離散半導體模組 MEDIUM POWER 62MM 13庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si M1H Tray
Infineon Technologies 離散半導體模組 MEDIUM POWER 62MM 9庫存量
16預期22/5/2026
最少: 1
倍數: 1

Si M1H Tray


Infineon Technologies 離散半導體模組 Booster 1200 V CoolSiC MOSFET Module 39庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si M1H Tray


Infineon Technologies 離散半導體模組 Booster 1200 V CoolSiC MOSFET Module 24庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si M1H Tray


Infineon Technologies 離散半導體模組 Booster 1200 V CoolSiC MOSFET Module 17庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si M1H Tray


Infineon Technologies 離散半導體模組 CoolSiC MOSFET booster module 1200 V 24庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si M1H Tray
Infineon Technologies 離散半導體模組 Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET 5庫存量
24預期10/4/2026
最少: 1
倍數: 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies 離散半導體模組 Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET 3庫存量
最少: 1
倍數: 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies 離散半導體模組 Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET 8庫存量
最少: 1
倍數: 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies 離散半導體模組 Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET 22庫存量
最少: 1
倍數: 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies 離散半導體模組 Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET 29庫存量
最少: 1
倍數: 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies 離散半導體模組 1200V, 62mm Module with CoolSiC Trench MOSFET 2庫存量
10預期26/3/2026
最少: 1
倍數: 1

CoolSiC Trench MOSFET Half Bridge SiC - 10 V, 23 V Stud Mount - 40 C + 175 C M1H Tray


Infineon Technologies 離散半導體模組 CoolSiC MOSFET booster module 1200 V 22庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si M1H Tray
Infineon Technologies 離散半導體模組 Half-bridge 1200 V CoolSiC MOSFET Module 無庫存前置作業時間 14 週
最少: 1
倍數: 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies 離散半導體模組 HYBRID PACK DRIVE G1 SIC 無庫存前置作業時間 39 週
最少: 12
倍數: 12

SiC Modules SiC Tray