NVVR26A120M1WSS

Name: onsemi NVVR26A120M1WSS
Brand: onsemi
SKU: 863-NVVR26A120M1WSS
Price: 4142.96 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

863-NVVR26A120M1WSS

製造商編號：

NVVR26A120M1WSS

製造商：

onsemi

說明：

離散半導體模組 SIC A1HPM 1200 V

壽命週期:

新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

NVVR26A120M1WSS 規格書

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	HK$4,142.96	HK$4,142.96
	HK$3,610.47	HK$43,325.64

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	離散半導體模組
RoHS:
產品:	SiC Modules
類型:	Power Module
技術:	SiC
Vf - 順向電壓:	3.8 V
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 10 V, + 25 V
安裝風格:	Through Hole
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 175 C
系列:	NVVR26A120M1WSS
封裝:	Tube
品牌:	onsemi
配置:	Half Bridge
下降時間:	51 ns
Id - C連續漏極電流:	400 A
Pd - 功率消耗 :	1 kW
產品類型:	Discrete Semiconductor Modules
上升時間:	59 ns
原廠包裝數量:	6
子類別:	Discrete Semiconductor Modules
公司名稱:	EliteSiC
晶體管極性:	N-Channel
標準斷開延遲時間:	220 ns
標準開啟延遲時間:	125 ns
Vds - 漏-源擊穿電壓:	1.2 kV
Vgs th - 門源門限電壓 :	3.2 V

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規格書

NVVR26A120M1WSS 規格書

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

NVVR26A120M1WSx Silicon Carbide (SiC) Modules

onsemi NVVR26A120M1WSx Silicon Carbide (SiC) Modules are part of the VE-Trac™ B2 SiC highly integrated power module family for EV and HEV traction inverter applications. These SiC modules integrate a 1200V drain-source voltage in a half-bridge configuration and sintering technology for die attachment to enhance reliability and thermal performance. The NVVR26A120M1WSx modules feature an ultra-low R_DS(on), an aluminum nitride isolator, and ultra-low 7.1nH stray inductance. These SiC modules operate within a -40°C to +175°C temperature range and come in AHPM-15 packages. The NVVR26A120M1WSx modules are automotive AQG324 compliant and UL 94V-0 flammability rated.