Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (trr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest RDS(on), low RthJC, low Qg, and enhanced dv/dt capability.

結果: 3
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 技術 Vgs - 閘極-源極電壓 安裝風格 封裝/外殼 最低工作溫度 最高工作溫度 系列 封裝
IXYS 離散半導體模組 26 Amps 1000V 0.39 Rds 無庫存前置作業時間 27 週
最少: 300
倍數: 10

Si - 30 V, + 30 V Screw Mount SOT-227-4 - 55 C + 150 C IXFN26N100 Tube
IXYS 離散半導體模組 26 Amps 1200V 無庫存前置作業時間 32 週
最少: 300
倍數: 10

Si - 30 V, + 30 V Screw Mount SOT-227-4 - 55 C + 150 C IXFN26N120 Tube
IXYS 離散半導體模組 30 Amps 1200V 0.35 Rds 無庫存前置作業時間 32 週
最少: 300
倍數: 10

Si - 30 V, + 30 V Screw Mount SOT-227-4 - 55 C + 150 C IXFN30N120 Tube