SiC Power Modules

ROHM Semiconductor SiC power modules are half-bridge SiC modules that integrate a SiC MOSFET and SiC SBD into a single package. These ROHM modules support high-frequency operation through reduced switching loss. The optimized design reduces stray inductance compared to existing solutions. And to prevent excessive heat generation, E Type models that integrate an additional thermistor are offered.

結果: 2
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 產品 類型 技術 Vf - 順向電壓 Vr - 反向電壓 Vgs - 閘極-源極電壓 安裝風格 封裝/外殼 最低工作溫度 最高工作溫度 系列 封裝
ROHM Semiconductor 離散半導體模組 Half Bridge Module SiC DMOS & SBD 1200V 無庫存前置作業時間 27 週
最少: 1
倍數: 1

SiC MOSFET-SiC SBD Modules Half Bridge SiC 1.2 kV - 6 V, + 22 V Screw Mount Module - 40 C + 150 C BSMx Tray
ROHM Semiconductor 離散半導體模組 SIC Pwr Module Chopper 前置作業時間 27 週
最少: 1
倍數: 1

MOSFET-SiC SBD Modules Silicon Carbide (SiC) Module SiC 1.6 V 1.2 kV - 4 V, + 22 V Screw Mount Module - 40 C + 150 C Bulk