Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

分立及功率模組類型
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結果: 8
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 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS 產品類型
產品
技術
安裝風格
封裝/外殼
ROHM Semiconductor MOSFET模組 Half Bridge Module SiC UMOSFET & SBD
規格書
12庫存量
最少： 1
倍數： 1

MOSFET Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor MOSFET模組 Mod: 1200V 180A (no Diode)
規格書
2庫存量
最少： 1
倍數： 1

MOSFET Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor MOSFET模組 Mod: 1200V 120A (w/ Diode)
規格書
11庫存量
最少： 1
倍數： 1

MOSFET Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor MOSFET模組 SIC Pwr Module Half Bridge
規格書
4庫存量
最少： 1
倍數： 1

MOSFET Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor MOSFET模組 300A SiC Power Module
規格書
4庫存量
最少： 1
倍數： 1

MOSFET Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor 離散半導體模組 Half Bridge Module SiC DMOS & SBD 1200V
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 1
倍數： 1

Discrete Semiconductor Modules SiC MOSFET-SiC SBD Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor 離散半導體模組 SIC Pwr Module Chopper
規格書
前置作業時間 27 週
最少： 1
倍數： 1

Discrete Semiconductor Modules MOSFET-SiC SBD Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor MOSFET模組 SIC Pwr Module Half Bridge
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 4
倍數： 4

MOSFET Modules SiC Screw Mount Module