Silicon Carbide (SiC) Semiconductors

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Semiconductors are an innovative option for power electronic designers looking to improve system efficiency, smaller form factor, and higher operating temperature in products covering industrial, medical, military/aerospace, aviation, and communication market segments. Microchip's next-generation SiC MOSFETs and SiC Schottky Barrier Diodes (SBDs) are designed with high repetitive Unclamped Inductive Switching (UIS) capability, and its SiC MOSFETs maintain high UIS capability at approximately 10J/cm2 to 15J/cm2 and robust short-circuit protection at 3ms to 5ms. The Microchip Technology SiC SBDs are designed with balanced surge current, forward voltage, thermal resistance, and thermal capacitance ratings at low reverse currents for lower switching loss. In addition, SiC MOSFET and SiC SBD can be paired together for use in modules.

二極管及整流器的類型
變更類別視圖
結果: 17
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS 產品類型
安裝風格
封裝/外殼
Vr - 反向電壓
Vf - 順向電壓
If - 順向電流
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD
規格書
158庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2 1.2 kV 1.5 V 15 A
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 1200 V, 30 A SiC SBD
規格書
835庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2 1.2 kV 1.5 V 69 A
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 SIC SBD 1200 V 30 A TO-220
規格書
862庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220FP-2 1.2 kV 1.5 V 30 A
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 1200 V, 10 A SiC SBD
規格書
132庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2 1.2 kV 1.5 V 10 A
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 1200 V, 10 A SiC SBD
規格書
225庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2 1.2 kV 1.5 V 27 A
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD
規格書
43庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2 1.7 kV 1.5 V 10 A
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 SIC SBD 700 V 30 A TO-247
規格書
230庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2 700 V 1.5 V 30 A
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 700V, 30A SiC SBD
規格書
164庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK 1.5 V 60 A
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 SIC SBD 1200 V 30 A TO-268
規格書
45庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK 1.2 kV 1.5 V 30 A
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 700 V, 50 A SiC SBD
規格書
145庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2 700 V 1.5 V 50 A
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 SIC SBD 1200 V 50 A TO-247
規格書
52庫存量
120預期13/4/2026
最少： 1
倍數： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2 1.2 kV 1.5 V 50 A
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 SIC SBD 1200 V 50 A TO-268
規格書
65庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK 1.2 kV 1.5 V 50 A
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD
規格書
23庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2 700 V 1.5 V 10 A
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 700 V, 10 A SiC SBD
規格書
325庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2 700 V 1.5 V 10 A
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 700V, 50A SiC SBD
規格書
44庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK 700 V 1.5 V 50 A
Microchip Technology 碳化矽肖特基二極管 700 V, 20 A SiC SBD
規格書
無庫存前置作業時間 7 週
最少： 1
倍數： 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2 700 V 1.5 V 30 A
Microchip Technology 二極管模組 PM-DIODE-SIC-SBD-SOT227
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 1
倍數： 1

Diode Modules Screw Mount SOT-227-4 1.2 kV 1.5 V