MSC50DC120HJ

Name: Microchip MSC50DC120HJ
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC50DC120HJ
Price: 561.59 HKD
Availability: OutOfStock

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Mouser 編號：

494-MSC50DC120HJ

製造商編號：

MSC50DC120HJ

製造商：

Microchip Technology

說明：

二極管模組 PM-DIODE-SIC-SBD-SOT227

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規格書:

MSC50DC120HJ 規格書 (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Microchip
產品類型:	二極管模組
RoHS:
安裝風格:	Screw Mount
封裝/外殼:	SOT-227-4
Vr - 反向電壓:	1.2 kV
配置:	Full Bridge
Vf - 順向電壓:	1.5 V
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
封裝:	Tube
品牌:	Microchip Technology
產品:	SiC Schottky Diode Modules
產品類型:	Diode Modules
原廠包裝數量:	1
子類別:	Discrete and Power Modules
技術:	SiC

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USHTS:: 8541590080
ECCN:: EAR99

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