QPD1025L

Qorvo
772-QPD1025L
QPD1025L

製造商：

說明：
氮化鎵場效應管 1-1.1GHz 1500 Watt Gain 22.9dB 65V

規格書:
ECAD模型:
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Pricing (HKD)

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HK$17,300.63 HK$17,300.63

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Qorvo
產品類型: 氮化鎵場效應管
RoHS:  
SMD/SMT
NI-1230-4
28 A
- 40 C
+ 85 C
758 W
品牌: Qorvo
配置: Dual Gate Dual Drain
開發套件: QPD1025LEVB1
增益: 22.9 dB
最大漏柵電壓: 225 V
濕度敏感: Yes
輸出功率: 1.5 kW
封裝: Tray
產品類型: GaN FETs
系列: QPD1025L
原廠包裝數量: 18
子類別: Transistors
技術: GaN SiC
晶體管類型: HEMT
每件重量: 39.665 g
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所選屬性: 0

規格書

PCN

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8517620090
USHTS:
8541290055
TARIC:
8517620000
ECCN:
EAR99

QPD1025 & QPD1025L RF Input-Matched Transistors

Qorvo QPD1025 and QPD1025L RF Input-Matched Transistors are discrete GaN on SiC High Electron Mobility Transistors (HEMT) that have an operating frequency range of 1.0GHz to 1.1GHz. The QPD1025 and QPD1025L transistors feature 22.5dB linear gain, 1800W output power, 65V operating voltage, and support both pulse and CW operations. Qorvo QPD1025 and QPD1025L RF Input-Matched Transistors are available in industry standard air cavity packages and are ideal for IFF transponders, avionics, and test instrumentation.

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