GaN Transistor Solutions for Sub 6GHz 5G

Qorvo GaN Transistor Solutions for Sub-6GHz 5G are a broad portfolio of gallium nitride (GaN) discrete transistor products. The devices have varying levels of power, voltage, and frequency ratings in die-level and packaged solutions. Qorvo GaN Transistor Solutions for Sub-6GHz 5G provide high GaN performance plus the convenience of industry-standard packaging. This speeds design, manufacturing, and is backed by industry-leading reliability.

結果: 3
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Vgs th - 門源門限電壓 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗
Qorvo 氮化鎵場效應管 DC-3.6GHz GaN 90W 48V 54庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 100

SMD/SMT DFN-6 48 V - 40 C
Qorvo 氮化鎵場效應管 DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN 244庫存量
最少: 1
倍數: 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 50 V 700 mA - 2.8 V - 40 C + 85 C 17.5 W
Qorvo 氮化鎵場效應管 DC-4GHz 45W GaN 48V 68庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 250

SMD/SMT QFN-20 48 V - 40 C 45 W