CoolSiC™ MOSFETs 650V

Infineon Technologies CoolSiC™ MOSFETs 650V combines the physical strength of silicon carbide with features amplifying device performance, reliability, and ease of use. With its state-of-the-art trench semiconductor process, the CoolSiC™ MOSFET delivers the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. CoolSiC is the perfect fit for use in high-temperature and harsh environment applications.

電晶體的類型
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結果: 35
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 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS 產品類型
技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
規格書
61庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
規格書
194庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
規格書
80庫存量
240預期12/3/2026
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
規格書
141庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
規格書
135庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
規格書
290庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
規格書
132庫存量
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
規格書
480預期16/6/2026
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
規格書
無庫存前置作業時間 11 週
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1
倍數： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel