SIRS5800DP-T1-GE3

Name: Vishay SIRS5800DP-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIRS5800DP-T1-GE3
Price: 34.28 HKD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

78-SIRS5800DP-T1-GE3

製造商編號：

SIRS5800DP-T1-GE3

製造商：

Vishay / Siliconix

說明：

MOSFET N-Channel 80 V (D-S) MOSFET

規格書:

SIRS5800DP-T1-GE3 規格書

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於Vishay / Siliconix SIRS5800DP-T1-GE3的資訊

庫存量: 7,320

庫存：: 7,320 可立即送貨

發生意外錯誤了。請稍後再試。
工廠前置作業時間：: 18 週工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

HK$-.--

總價:

HK$-.--

估計關稅:

包裝:

完整捲（訂購多個3000）

帶狀裁切

MouseReel™ (+HK$55.00)

Pricing (HKD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$34.28	HK$34.28
	HK$22.61	HK$226.10
	HK$15.95	HK$1,595.00
	HK$14.47	HK$7,235.00
	HK$13.89	HK$13,890.00
完整捲（訂購多個3000）
	HK$12.58	HK$37,740.00
	HK$12.08	HK$72,480.00
24,000	報價

† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Vishay
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	SO-8S
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	80 V
Id - C連續漏極電流:	265 A
Rds On - 漏-源電阻:	1.8 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4 V
Qg - 閘極充電:	81 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	240 W
通道模式:	Enhancement
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Vishay / Siliconix
配置:	Single
下降時間:	16 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	10 ns
原廠包裝數量:	3000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	40 ns
標準開啟延遲時間:	20 ns

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

SIRS5800DP-T1-GE3 規格書

PCN

Product Change Notification (PDF)

此功能需要啟用JavaScript。

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SIP32433 Single-Channel eFuses

Vishay / Siliconix SIP32433 Single-Channel eFuses integrate multiple control and protection features. The SIP32433 provides increased controllability and reliability, with simplified designs and minimal external components. The SIP32433A and SIP32433B protect power sources and downstream circuitry connected to the switch. Protection includes overloads, short circuits, voltage surges, and excessive inrush currents.