結果: 10
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式
ROHM Semiconductor 碳化矽MOSFET 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC 1,464庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-3PFM-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 3.7 A 1.5 Ohms - 6 V, + 22 V 4 V 14 nC - 55 C + 175 C 35 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化矽MOSFET N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS 695庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 72 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 131 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化矽MOSFET N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC 971庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 48 nC + 175 C 134 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化矽MOSFET N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS 102庫存量
最少: 1
倍數: 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 70 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 104 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化矽MOSFET N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS 322庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 52 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 107 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化矽MOSFET N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS 839庫存量
最少: 1
倍數: 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 78 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC + 175 C 165 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化矽MOSFET N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS 174庫存量
900預期26/2/2026
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 60 nC - 55 C + 175 C 165 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化矽MOSFET N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS 92庫存量
450預期20/5/2026
最少: 1
倍數: 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 156 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 38 nC + 175 C 103 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化矽MOSFET N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS 24庫存量
1,350在途量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 103 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化矽MOSFET N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS 6庫存量
450預期25/6/2026
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 93 A 28.6 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 133 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement