結果: 7
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 技術 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式 資格 公司名稱 封裝
Toshiba MOSFET P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063 1,307庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 60 A 6.3 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 125 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Channel Mosfet 9,271庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 38 V 2 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 700 mV 3 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112 563庫存量
2,000預期10/4/2026
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 60 A 11.2 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 156 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK 100庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 65 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 39 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET UMOSVIII 60V 3.3m max(VGS=10V) DPAK 218庫存量
2,000預期2/3/2026
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 90 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 81 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVIII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 34 V 2 A 240 mOhms - 20 V, 20 V 700 mV + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSIV Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 2,000
倍數: 2,000
: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 80 A 5.2 mOhms 100 W AEC-Q100 U-MOSVI Reel