8 Gbit 半導體

半導體的類型
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結果: 160
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 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS
GigaDevice NAND快閃
規格書
暫無庫存
最少： 960
倍數： 960
SMARTsemi DRAM DDR4, 8Gb, 1Gbx8, 1600Mhz, 3200Mbps, 1.2V, 78-ball FBGA, Commercial temp
規格書
N/A
最少： 1
倍數： 1

Intelligent Memory DRAM ECC LPDDR4, 8Gb, 1.1V, 256Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1
倍數： 1

Macronix NAND快閃 SLC NAND 3V 8Gbit x8 TSOP-48 4Bit ECC
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 960
倍數： 96
Macronix NAND快閃 SLC NAND 3V 8Gbit x8 TSOP-48 4Bit ECC
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 1,500
倍數： 1,500
: 1,500
Macronix NAND快閃 SLC NAND 3V 8Gbit x8 BGA-63 4Bit ECC
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 2,200
倍數： 220
Macronix NAND快閃 SLC NAND 3V 8Gbit x8 BGA-63 4Bit ECC
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 3,000
倍數： 3,000
: 3,000
Macronix NAND快閃 SLC NAND 3V 8Gbit x8 TSOP-48 8Bit ECC
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 1,500
倍數： 1,500
: 1,500
Macronix NAND快閃 SLC NAND 3V 8Gbit x8 BGA-63 8Bit ECC
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 3,000
倍數： 3,000
: 3,000
Macronix NAND快閃 SLC NAND 1.8V 8Gbit x8 BGA-63 4Bit ECC
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 2,200
倍數： 220
Macronix NAND快閃 SLC NAND 1.8V 8Gbit x8 BGA-63 4Bit ECC
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 3,000
倍數： 3,000
: 3,000
Macronix NAND快閃 SLC NAND 1.8V 8Gbit x8 BGA-63 4Bit ECC +105C 無庫存前置作業時間 52 週
最少： 3,000
倍數： 3,000
: 3,000
Macronix NAND快閃 SLC NAND 1.8V 8Gbit x8 BGA-63 8Bit ECC
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 3,000
倍數： 3,000
: 3,000
GigaDevice GD9FS8G8E4DLGI
GigaDevice NAND快閃
規格書
暫無庫存
最少： 2,100
倍數： 2,100

GigaDevice GD9FS8G8E4DMGI
GigaDevice NAND快閃
規格書
暫無庫存
最少： 960
倍數： 960

GigaDevice GD9FU8G8E4DLGI
GigaDevice NAND快閃
規格書
暫無庫存
最少： 2,100
倍數： 2,100

GigaDevice GD9FU8G8E4DMGI
GigaDevice NAND快閃
規格書
暫無庫存
最少： 960
倍數： 960

Zentel Japan DRAM DDR3L 8Gb, 512Mx16 (1CS, 1ZQ), 1600 at CL11, 1.35V, FBGA-96
規格書
無庫存前置作業時間 24 週
最少： 1,900
倍數： 1,900

ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 1
倍數： 1
ISSI DRAM 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 136
倍數： 136

ISSI DRAM 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 2,000
倍數： 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 2,000
倍數： 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 2,000
倍數： 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 2,000
倍數： 2,000
: 2,000