8 Gbit 半導體

半導體的類型

變更類別視圖
結果: 160
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS
ISSI DRAM DDR3 8G 1.5V 512Mx16 1600MT/s IT
2,040預期12/2/2027
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM 8G 512Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L I-Temp
8,568在途量
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM DDR3 8G 1.35V 512Mx16 1600MT/s IT
8,656在途量
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
1,088預期21/7/2027
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s at 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
952在途量
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s at 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT
3,371在途量
最少: 1
倍數: 1
Alliance Memory DRAM DDR3L, 8Gb, 512M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ INDUSTRIAL TEMP B Die(MT41K512M16HA-125IT:A),
720預期17/12/2026
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.2mm max thickness) RoHS
1,496在途量
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.2mm max thickness) RoHS
3,575在途量
最少: 1
倍數: 1

ISSI IS46LQ32256A-062BLA2
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
408在途量
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
136預期14/12/2026
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 1Gx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT
112在途量
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 1Gx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT
126在途量
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 1Gx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS
272預期10/8/2027
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM 8G 512Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L A-Temp
136在途量
最少: 1
倍數: 1

SMARTsemi DRAM DDR4, 8Gb, 1Gbx8, 1600Mhz, 3200Mbps, 1.2V, 78-ball FBGA, Industrial temp 無庫存前置作業時間 6 週
最少: 1
倍數: 1

Intelligent Memory DRAM DDR3 8Gb, 1.35V/1.5V, 1Gx8 (1CS), 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-78 無庫存前置作業時間 6 週
最少: 220
倍數: 220

Intelligent Memory DRAM DDR3 8Gb, 1.35V/1.5V, 1Gx8 (2CS), 933MHz (1866Mbps), 0C to +95C, FBGA-78 無庫存前置作業時間 6 週
最少: 220
倍數: 220

Intelligent Memory DRAM DDR3 8Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx16 (2CS), 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-96 無庫存前置作業時間 6 週
最少: 1
倍數: 1

Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 256Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 1
倍數: 1

GigaDevice NAND快閃 暫無庫存
最少: 960
倍數: 960
GigaDevice NAND快閃 暫無庫存
最少: 2,100
倍數: 2,100
GigaDevice NAND快閃 暫無庫存
最少: 960
倍數: 960
GigaDevice NAND快閃 暫無庫存
最少: 960
倍數: 960
GigaDevice NAND快閃 暫無庫存
最少: 2,100
倍數: 2,100