4 Gbit 半導體

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結果: 281
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS
Alliance Memory DRAM DDR3, 4G, 256M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 933MHZ, Industrial Temp - Tape & Reel
4,992預期18/3/2027
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

Alliance Memory DRAM DDR3, 4G, 256M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ, Industrial Temp - Tape & Reel
2,000預期21/10/2026
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

Alliance Memory DRAM DDR3, 4G, 256M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ, Industrial Temp - Tray
15,822在途量
最少: 1
倍數: 1

Alliance Memory DRAM DDR4, 4G, 256 X 16, 1.2V, 96-Ball FBGA, 1333MHZ, Industrial Temp - Tray
1,462預期21/7/2027
最少: 1
倍數: 1
Alliance Memory DRAM DDR3, 4G, 256M x 16, 1.5V, 96-ball FBGA, 800MHz, Industrial Temp - Tray
2,926在途量
最少: 1
倍數: 1

Alliance Memory DRAM DDR3, 4G, 256M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 933MHZ, Industrial Temp - Tray
415預期21/9/2026
最少: 1
倍數: 1

Alliance Memory DRAM DDR4, 4G, 512M x 8, 1.2V, 78-Ball FBGA, 1200MHZ, Industrial Temp - Tray
726預期19/5/2027
最少: 1
倍數: 1
Alliance Memory DRAM DDR3, 4G, 256M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ, Automotive Temp - Tray
645在途量
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
131在途量
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
570在途量
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 512Mx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT
209預期17/2/2027
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS
179在途量
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
124在途量
最少: 1
倍數: 1

ISSI NAND快閃 4Gb (x16, 8bit ECC), 63 Ball VFBGA, 3V, RoHS, IT
220在途量
最少: 1
倍數: 1

ISSI NAND快閃 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT
480在途量
最少: 1
倍數: 1

Alliance Memory DRAM LPDDR2, 4G, 128M X 32, 1.2V, 134 BALL BGA, 400MHZ, Industrial TEMP - Tray
124預期21/10/2026
最少: 1
倍數: 1

Alliance Memory NAND快閃 SLC Parallel NAND快閃, 4Gb, x8, 3.3V, 4bit ECC, 25ns, 63b FBGA, Industrial Grade4Gb, x8, 3.3V, SLC Parallel NAND快閃, 4bit ECC, 25ns, 63b FBGA, Industrial Grade
410在途量
最少: 1
倍數: 1

Intelligent Memory DRAM DDR3 4Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx8, 933MHz (1866Mbps), 0C to +95C, FBGA-78 無庫存前置作業時間 6 週
最少: 1
倍數: 1

Intelligent Memory DRAM DDR3 4Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx8, 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-78 前置作業時間 6 週
最少: 1
倍數: 1

GigaDevice NAND快閃 暫無庫存
最少: 4,800
倍數: 4,800
GigaDevice NAND快閃 暫無庫存
最少: 3,000
倍數: 3,000
: 3,000
GigaDevice NAND快閃 暫無庫存
最少: 4,800
倍數: 4,800
GigaDevice NAND快閃 暫無庫存
最少: 4,800
倍數: 4,800
GigaDevice NAND快閃 暫無庫存
最少: 4,800
倍數: 4,800
GigaDevice NAND快閃 暫無庫存
最少: 3,000
倍數: 3,000
: 3,000