結果: 7
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 產品 配置 集電極-發射極最大電壓VCEO 集電極-發射極飽和電壓 連續集電極電流在25 C 柵射極漏電電流 封裝/外殼 最低工作溫度 最高工作溫度 封裝
Infineon Technologies IGBT 模組 1700 V, 600 A dual IGBT module 24庫存量
8預期16/4/2026
最少: 1
倍數: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FF800R12KE7PEHPSA1
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 800 A dual IGBT module 32庫存量
最少: 1
倍數: 1

Tray
Infineon Technologies FF800R12KE7PHPSA1
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 800 A dual IGBT module 32庫存量
最少: 1
倍數: 1

Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 450 A dual IGBT module
32預期16/4/2026
最少: 1
倍數: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 450 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 450 A common emitter IGBT module
32預期2/4/2026
最少: 1
倍數: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 450 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 600 A dual IGBT module
32預期16/4/2026
最少: 1
倍數: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 62 mm C-Series module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode
30在途量
最少: 1
倍數: 1
IGBT Modules Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA Module - 40 C + 175 C Tray