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ST8L65N044M9

Name: STMicroelectronics ST8L65N044M9
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-ST8L65N044M9
Price: 63.13 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

511-ST8L65N044M9

製造商編號：

ST8L65N044M9

製造商：

STMicroelectronics

說明：

MOSFET N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 58 A MDmesh M9 Power MOSFET

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新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

ST8L65N044M9 規格書 (PDF)

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總價:

HK$-.--

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完整捲（訂購多個3000）

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MouseReel™ (+HK$55.00)

Pricing (HKD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$63.13	HK$63.13
	HK$43.16	HK$431.60
	HK$32.96	HK$3,296.00
	HK$30.99	HK$30,990.00
完整捲（訂購多個3000）
	HK$30.74	HK$92,220.00

† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	PowerFLAT-5
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	650 V
Id - C連續漏極電流:	58 A
Rds On - 漏-源電阻:	44 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	30 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4.2 V
Qg - 閘極充電:	110 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	166 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	MDmesh
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	STMicroelectronics
配置:	Single
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	CN
下降時間:	4 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	7 ns
系列:	MDmesh DM9
原廠包裝數量:	3000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	70 ns
標準開啟延遲時間:	22 ns
每件重量:	180 mg

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

ST8L65N044M9 規格書 (PDF)

PCN

Product Change Notification 2025-7-29 (PDF)

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MDmesh™ M9功率MOSFET

STMicroelectronics MDmesh™ M9功率MOSFET具備強化裝置結構、低導通電阻和低閘極電荷值。這些功率MOSFET具有高反向二極體dv/dt和MOSFET dv/dt耐用性、高功率密度和低傳導耗損。MDmesh M9功率MOSFET亦具有高開關速度、高效率和低開關功率耗損。這些功率MOSFET採用創新的高電壓超接面技術設計，可提供令人印象深刻的品質因數 (FoM)。高FoM可實現更高的功率等級和密度，進而使解決方案達到更輕巧的尺寸。其典型應用包括伺服器、電信資料中心、5G電力站、微型逆變器和快速充電器。

STP60N043DM9 MDmesh DM9 Power MOSFET

STMicroelectronics STP60N043DM9 MDmesh DM9 Power MOSFET is designed for medium/high voltage MOSFETs featuring very low R_DS(on) per area coupled with a fast-recovery diode. The device implements innovative super-junction MDmesh DM9 technology offering a multi-drain manufacturing process that allows for an enhanced device structure.