STMicroelectronics IGBT

結果: 3
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
封裝/外殼
安裝風格
配置
集電極-發射極最大電壓VCEO
集電極-發射極飽和電壓
柵極發射機最大電壓
連續集電極電流在25 C
Pd - 功率消耗
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
資格
封裝
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss
規格書
380庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Max247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 160 A 625 W - 55 C + 175 C STGYA120M65DF2 Tube
STMicroelectronics IGBT Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss in
規格書
515庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Max247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 160 A 625 W - 55 C + 175 C STGYA120M65DF2AG AEC-Q101 Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 1200 V, 75 A, high-speed H series IGBT in a Max247 long l
規格書
283庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si MAX257-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 150 A 750 W - 55 C + 175 C Tube