STMicroelectronics RF MOSFET晶體管

結果: 9
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 晶體管極性 技術 Id - C連續漏極電流 Vds - 漏-源擊穿電壓 Rds On - 漏-源電阻 操作頻率 增益 輸出功率 最低工作溫度 最高工作溫度 安裝風格 封裝/外殼 封裝
STMicroelectronics RF MOSFET晶體管 POWER R.F. 472庫存量
最少: 1
倍數: 1

N-Channel Si 2.5 A 40 V 1 GHz 17 dB 3 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube
STMicroelectronics RF MOSFET晶體管 POWER RF Transistor 148庫存量
最少: 1
倍數: 1

N-Channel Si 7 A 40 V 1 GHz 14.5 dB 25 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube
STMicroelectronics RF MOSFET晶體管 POWER RF Transistor 323庫存量
最少: 1
倍數: 1

N-Channel Si 5 A 40 V 1 GHz 14 dB 15 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube
STMicroelectronics RF MOSFET晶體管 POWER R.F. 無庫存前置作業時間 23 週
最少: 600
倍數: 600
: 600

N-Channel Si 5 A 40 V 1 GHz 14 dB 15 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Reel
STMicroelectronics RF MOSFET晶體管 POWER R.F. 無庫存前置作業時間 23 週
最少: 600
倍數: 600
: 600

N-Channel Si 2.5 A 65 V 760 mOhms 1 GHz 16.5 dB 18 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Reel
STMicroelectronics RF MOSFET晶體管 POWER R.F. 無庫存前置作業時間 23 週
最少: 400
倍數: 400

N-Channel Si 4 A 65 V 1 GHz 14 dB 30 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube
STMicroelectronics RF MOSFET晶體管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam 無庫存前置作業時間 23 週
最少: 400
倍數: 400

N-Channel Si 7 A 65 V 1 GHz 14.3 dB 60 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube
STMicroelectronics RF MOSFET晶體管 POWER R.F. N-Ch Trans 無庫存前置作業時間 23 週
最少: 400
倍數: 400

N-Channel Si 8 A 40 V 1 GHz 14.9 dB 35 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube
STMicroelectronics RF MOSFET晶體管 POWER R.F. N-Ch Trans 無庫存前置作業時間 23 週
最少: 600
倍數: 600
: 600

N-Channel Si 8 A 40 V 1 GHz 14.9 dB 35 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Reel