RF放大器

結果: 6
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 操作頻率 工作電源電壓 運作供電電流 增益 NF - 雜訊圖標 類型 安裝風格 封裝/外殼 技術 P1dB - 壓縮點 OIP3 - 三階交調 最低工作溫度 最高工作溫度 封裝
Microchip Technology RF放大器 DC-26 GHz GaAs 2庫存量
最少: 1
倍數: 1

0 Hz to 26 GHz 7 V 150 mA 18 dB 3.2 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT Die GaAs 20 dBm 34 dBm - 55 C + 85 C Waffle
Microchip Technology RF放大器 6 GHz-18 GHz GaAs pHEMT 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 50
倍數: 50

6 GHz to 18 GHz 4 V 102 mA 21 dB 1.7 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT Die GaAs 17 dBm 30 dBm - 55 C + 85 C Waffle
Microchip Technology RF放大器 MMIC, Bobcat GB I die 無庫存前置作業時間 26 週
最少: 50
倍數: 50

0 Hz to 14 GHz 4 V 80 mA 14 dB 2.6 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT Die GaAs 19 dBm 29 dBm - 55 C + 85 C
Microchip Technology RF放大器 DC-16 GHz Power-Selectable Wideband Amplifier 無庫存前置作業時間 26 週
最少: 50
倍數: 50

0 Hz to 16 GHz 4 V 80 mA 14.5 dB 2.6 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT Die GaAs 19 dBm 29 dBm - 55 C + 85 C
Microchip Technology RF放大器 DC-28 GHz GaAs 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 50
倍數: 50

0 Hz to 28 GHz 7 V 150 mA 16.5 dB 3 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT Die GaAs 15 dBm 27.5 dBm - 55 C + 85 C Waffle
Microchip Technology RF放大器 0.5 GHz-12 GHz GaAs pHEMT 前置作業時間 26 週
最少: 25
倍數: 25

500 MHz to 12 GHz 5 V 55 mA 16.5 dB 1.4 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT Die GaAs 17 dBm 29 dBm - 55 C + 85 C Waffle