3200 MT/s 記憶體模組

結果: 149
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 產品
存儲容量
存儲類型
速度
工作電源電壓
最高工作溫度
插腳數
ATP Electronics A4C08QZ8BNWESE
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
UDIMMs 8 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4C16QZ8BVWEME
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
UDIMMs 16 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4C32QE8BVWESE
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
UDIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4C32QE8BVWESW
ATP Electronics 記憶體模組
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
UDIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4D08QC6BVWESAV
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
UDIMMs 8 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4D32QB8BVWESE
ATP Electronics 記憶體模組
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
UDIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4D32QB8BVWESW
ATP Electronics 記憶體模組
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
UDIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4F04QD8BLWESE
ATP Electronics 記憶體模組
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
SODIMMs 4 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F04QD8BLWESW
ATP Electronics 記憶體模組
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
SODIMMs 4 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F08Q38BNWEME
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
SODIMMs 8 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F08Q38BNWESE
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
SODIMMs 8 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F08QG8BLWESE
ATP Electronics 記憶體模組
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
SODIMMs 8 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F16Q38BVWEME
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
SODIMMs 16 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F32Q28BVWESW
ATP Electronics 記憶體模組
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
SODIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G04QC6BNWESE
ATP Electronics 記憶體模組
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
SODIMMs 4 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G08QC6BVWESCV
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
SODIMMs 8 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G16QA8BVWESCV
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
SODIMMs 16 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G16QE8BNWEMRV
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
SODIMMs 16 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G32Q28BVWESE
ATP Electronics 記憶體模組
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
SODIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V + 85 C 260 Pin
ATP Electronics D416G0SD328ACSW
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
SODIMMs 16 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics D416G0SD328AFMI
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
SODIMMs 16 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics D416G0SD328AFMW
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
SODIMMs 16 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics D416G0SD328EGSW
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
SODIMMs 16 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics D416G0SD328ERMW
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
SODIMMs 16 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics D416G0SE3283FMI
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
SODIMMs 16 GB DDR4 3200 MT/s + 85 C 260 Pin