2666 MT/s 記憶體模組

結果: 143
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 產品
存儲容量
存儲類型
速度
工作電源電壓
最高工作溫度
插腳數
ATP Electronics A4B08QG8BNTDSE
ATP Electronics 記憶體模組 8GB Registered ECC Module VLP
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
VLP RDIMMs 8 GB DDR4 2666 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4B32QE8BVTDSE
ATP Electronics 記憶體模組
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
LRDIMMs 32 GB DDR4 2666 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4C08QZ8BNTDME
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
UDIMMs 8 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4C08QZ8BNTDSE
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
UDIMMs 8 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4C16QZ8BVTDME
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
UDIMMs 16 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4D08QA8BNTDMRV
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
UDIMMs 8 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4D08QA8BNTDSCV
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
UDIMMs 8 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4D08QC6BVTDSAV
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
UDIMMs 8 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4D16QA8BVTDMFV
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
UDIMMs 16 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4D16QB8BNTDSCV
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
UDIMMs 16 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4D32QB8BVTDSAV
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
UDIMMs 32 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 288 Pin
ATP Electronics A4F08Q38BNTDME
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
SODIMMs 8 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F08Q38BNTDSE
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
SODIMMs 8 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4F16Q38BVTDME
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G04QC6BNTDMRV
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
SODIMMs 4 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G04QC6BNTDSCV
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
SODIMMs 4 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G08QA8BNTDMRV
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
SODIMMs 8 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G08QA8BNTDSCV
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
SODIMMs 8 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G08QC6BVTDSCV
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
SODIMMs 8 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G16QA8BVTDMFV
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G16QA8BVTDSCV
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G16QE8BNTDMRV
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G16QE8BNTDSCV
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G32Q28BVTDSAV
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
SODIMMs 32 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin
ATP Electronics A4G32QE8BVTDMFV
ATP Electronics 記憶體模組 無庫存前置作業時間 29 週
最少： 200
倍數： 50
SODIMMs 32 GB DDR4 2666 MT/s + 85 C 260 Pin