2666 MT/s 記憶體模組

結果: 143
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 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 產品
存儲容量
存儲類型
速度
工作電源電壓
最高工作溫度
插腳數
ATP Electronics 記憶體模組 16GB Unb ECC SODIMM
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
SODIMMs, ECC 16 GB DDR3 2666 MT/s
ATP Electronics 記憶體模組 16GB Unb ECC SODIMM
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
SODIMMs, ECC 16 GB DDR3 2666 MT/s
ATP Electronics 記憶體模組 WT 16GB Unb ECC SODIMM
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
SODIMMs, ECC 16 GB DDR4 2666 MT/s
ATP Electronics 記憶體模組 32GB Unb ECC SODIMM
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
SODIMMs, ECC 32 GB DDR3 2666 MT/s
ATP Electronics 記憶體模組 WT 32GB Unb ECC SODIMM
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
SODIMMs, ECC 32 GB DDR4 2666 MT/s
ATP Electronics 記憶體模組 32GB Unb ECC SODIMM
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
SODIMMs, ECC 32 GB DDR3 2666 MT/s
ATP Electronics 記憶體模組 WT 32GB Unb ECC SODIMM
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
SODIMMs, ECC 32 GB DDR4 2666 MT/s
ATP Electronics 記憶體模組 4GB Unb Non-ECC SODIMM
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
SODIMMs 4 GB DDR3 2666 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 記憶體模組 4GB Unb Non-ECC SODIMM
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
SODIMMs 4 GB DDR3 2666 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 記憶體模組 8GB Unb Non-ECC SODIMM
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
SODIMMs 8 GB DDR3 2666 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 記憶體模組 8GB Unb Non-ECC SODIMM
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
SODIMMs 8 GB DDR3 2666 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 記憶體模組 8GB Unb Non-ECC SODIMM- Samsung Org.
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 500
倍數： 50
SODIMMs 8 GB DDR3 2666 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 記憶體模組 WT 8GB Unb Non-ECC SODIMM
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
SODIMMs 8 GB DDR4 2666 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 記憶體模組 8GB Unb Non-ECC SODIMM
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
SODIMMs 8 GB DDR3 2666 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 記憶體模組 16GB Unb Non-ECC SODIMM
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
SODIMMs 16 GB DDR3 2666 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 記憶體模組 WT 16GB Unb Non-ECC SODIMM
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2666 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 記憶體模組 16GB Unb Non-ECC SODIMM
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
SODIMMs 16 GB DDR3 2666 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 記憶體模組 16GB Unb Non-ECC SODIMM
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
SODIMMs 16 GB DDR3 2666 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 記憶體模組 16GB Unb Non-ECC SODIMM- Samsung Org.
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 500
倍數： 50
SODIMMs 16 GB DDR3 2666 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 記憶體模組 WT 16GB Unb Non-ECC SODIMM
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2666 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 記憶體模組 32GB Unb Non-ECC SODIMM
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
SODIMMs 32 GB DDR3 2666 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 記憶體模組 WT 32GB Unb Non-ECC SODIMM
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
SODIMMs 32 GB DDR4 2666 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 記憶體模組 32GB Unb Non-ECC SODIMM
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
SODIMMs 32 GB DDR3 2666 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 記憶體模組 WT 32GB Unb ECC SODIMM
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
SODIMMs 32 GB DDR4 2666 MT/s 1.5 V
ATP Electronics A4B08QG8BNTDME
ATP Electronics 記憶體模組 8GB Registered ECC Module VLP
規格書
無庫存前置作業時間 29 週
最少： 50
倍數： 50
VLP RDIMMs 8 GB DDR4 2666 MT/s 1.2 V + 85 C 288 Pin