32 Mbit SRAM

結果: 36
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 存儲容量 組織 存取時間 最高時鐘頻率 接口類型 電源電壓 - 最大值 電源電壓 - 最小值 電源電流 - 最大值 最低工作溫度 最高工作溫度 安裝風格 封裝/外殼 封裝
Alliance Memory SRAM 32M, 3V, 55ns 2048K x 16 Asyn SRAM 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500

32 Mbit 2 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Reel
ISSI SRAM 32Mb,High-Speed-Automotive,Async,2048K x 16,12ns,2.4v-3.6v,48 Pin TSOP I, RoHS, Automotive temp 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500

32 Mbit 2 M x 16 12 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 110 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-48 Reel
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 1
倍數: 1

32 Mbit 2 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48
ISSI SRAM 32Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 暫無庫存
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

32 Mbit 8 M x 4 200 MHz SPI 1.95 V 1.65 V 75 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24 Reel
ISSI SRAM 32Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 133MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 暫無庫存
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

32 Mbit 8 M x 4 133 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 75 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24 Reel
ISSI SRAM 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 無庫存前置作業時間 26 週
最少: 3,000
倍數: 3,000
: 3,000

32 Mbit 4 M x 8 7 ns 104 MHz SPI 1.95 V 1.65 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Reel
Alliance Memory SRAM 32M 3V 55ns LP 2048Kx16 Asynch IT 前置作業時間 20 週
最少: 1
倍數: 1

32 Mbit 2 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray
Alliance Memory SRAM 32M 3V 55ns LP 2048Kx16 Asynch IT 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 2,000
倍數: 2,000
: 2,000

32 Mbit 2 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel
ISSI SRAM 32Mb, 2.5v-3.6v 70ns 2Mx16 Pseudo SRAM 暫無庫存
最少: 480
倍數: 480

32 Mbit 2 M x 16 70 ns 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Tray
ISSI SRAM 32Mb, 2.5v-3.6v 70ns 2M x 16 Async SRAM 暫無庫存
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

32 Mbit 2 M x 16 70 ns 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel
ISSI IS66WVC2M16EALL-7010BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,2M x 16,70ns,1.7v 1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 480
倍數: 480

32 Mbit 2 M x 16 70 ns Parallel 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT