SRAM

結果: 10
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 存儲容量 組織 存取時間 接口類型 電源電壓 - 最大值 電源電壓 - 最小值 電源電流 - 最大值 最低工作溫度 最高工作溫度 安裝風格 封裝/外殼 封裝
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 1.7V-1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 310庫存量
最少: 1
倍數: 1
最大: 200

32 Mbit 2 M x 16 70 ns Parallel 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT
Renesas Electronics SRAM 4Mb 3V Adv. SRAM x16 FBGA 45NS Tray
366預期9/4/2026
最少: 1
倍數: 1

4 Mbit 256 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-48 Tray
Renesas Electronics SRAM 4Mb 3V Adv. SRAM x16, FBGA, 45NS, T+R 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

SMD/SMT FBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 32Mb 3.3V 12ns 2Mx16 Fast Async SRAM 無庫存前置作業時間 26 週
最少: 2,000
倍數: 2,000
: 2,000

32 Mbit 2 M x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 250 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-48 Reel
Infineon Technologies SRAM 16Mb MoBL SRAM With ECC 無庫存前置作業時間 26 週
最少: 4,800
倍數: 4,800

16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 55 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 32 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray
Infineon Technologies SRAM 16Mb MoBL SRAM With ECC 無庫存前置作業時間 14 週
最少: 2,400
倍數: 2,400

16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray
Infineon Technologies SRAM 16Mb MoBL SRAM With ECC 無庫存前置作業時間 14 週
最少: 4,800
倍數: 4,800

16 Mbit 2 M x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Tray
ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,1.7v-1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS 無庫存前置作業時間 14 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

8 Mbit 512 k x 16 70 ns Parallel 1.95 V 1.7 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 1.7V-1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 14 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

Reel
ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,1.7v-1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS 無庫存前置作業時間 14 週
最少: 480
倍數: 480

8 Mbit 512 k x 16 70 ns Parallel 1.95 V 1.7 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48