SRAM

結果: 14
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 存儲容量 組織 存取時間 接口類型 電源電壓 - 最大值 電源電壓 - 最小值 電源電流 - 最大值 最低工作溫度 最高工作溫度 安裝風格 封裝/外殼 封裝
ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,256K x 8,10ns,2.4V-3.6V, 36 Ball mBGA (6x8mm), RoHS 無庫存前置作業時間 10 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

2 Mbit 256 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-36 Reel
ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,256K x 8,10ns,2.4V-3.6V, 36 Ball mBGA (6x8mm), RoHS 無庫存前置作業時間 10 週
最少: 480
倍數: 480

2 Mbit 256 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-36
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v-3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 480
倍數: 480

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-36
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,45ns,2.2v-3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

2 Mbit 256 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-36 Reel
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v-3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 480
倍數: 480

4 Mbit 512 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 22 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-36
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v-3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

4 Mbit 512 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 22 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-36 Reel
ISSI SRAM 2Mb 256Kx8 55ns Async SRAM 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 480
倍數: 480

2 Mbit 256 k x 8 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-36 Tray
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 8,55ns,2.5v-3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

2 Mbit 256 k x 8 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-36 Reel
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,55ns,2.5v-3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 480
倍數: 480

4 Mbit 512 k x 8 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-36 Tray
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,55ns,2.5v-3.6v,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

4 Mbit 512 k x 8 55 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-36 Reel
ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async,256K x 8, 8ns/3.3v, or 10ns/2.4v-3.6v, 36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp, ECC 無庫存前置作業時間 14 週
最少: 480
倍數: 480

2 Mbit 256 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TFBGA-36
ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async,256K x 8, 8ns/3.3v, or 10ns/2.4v-3.6v, 36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp, ECC 無庫存前置作業時間 14 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

2 Mbit 256 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TFBGA-36 Reel
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 8,10ns,2.4v-3.6v, 36 Ball mBGA (6x8mm), RoHS, Automotive temp 無庫存前置作業時間 14 週
最少: 480
倍數: 480

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TFBGA-36
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 8,10ns,2.4v-3.6v, 36 Ball mBGA (6x8mm), RoHS, Automotive temp 無庫存前置作業時間 14 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 50 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TFBGA-36 Reel