NVRAM

結果: 81
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 封裝/外殼 接口類型 存儲容量 組織 數據匯流排寬度 存取時間 電源電壓 - 最大值 電源電壓 - 最小值 運作供電電流 最低工作溫度 最高工作溫度 系列 封裝
Analog Devices / Maxim Integrated NVRAM 3.3V 4096K Nonvolatile SRAM with Battery

PowerCap Module-34 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 100 ns 3.6 V 3 V 50 mA 0 C + 70 C DS1350W Tray
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 45ns 128K x 8 nvSRAM 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 1
倍數: 1

TSOP-II-44 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 45 ns 3.6 V 2.7 V 70 mA - 40 C + 85 C CY14B101LA Tray
Infineon Technologies NVRAM 256Kb 35ns 32K x 8 nvSRAM 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 1
倍數: 1

FBGA-48 256 kbit 32 k x 8 35 ns 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14V256LA Tray
Infineon Technologies NVRAM 1Mb 3V 20ns 128K x 8 nvSRAM 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 675
倍數: 675

TSOP-II-44 CY14B101LA Tray
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 25ns 512K x 8 nvSRAM 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 1,350
倍數: 1,350

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B104K Tray
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 45ns 512K x 8 nvSRAM 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 1,350
倍數: 1,350

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B104K Tray
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 25ns 512K x 8 nvSRAM 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 1
倍數: 1

TSOP-II-44 CY14B104LA Tray
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 1,080
倍數: 1,080

TSOP-II-54 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B104M Tray
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 20ns 256K x 16 nvSRAM 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 1
倍數: 1

FBGA-48 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B104NA Tray
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 20ns 256K x 16 nvSRAM 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 1
倍數: 1

TSOP-II-44 CY14B104NA Tray
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 1
倍數: 1

TSOP-II-54 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 25 ns 3.6 V 2.7 V 70 mA - 40 C + 85 C CY14B104NA Tray
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 25ns 1024K x 8 nvSRAM 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 1
倍數: 1

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108K Tray
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 45ns 1024K x 8 nvSRAM 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 1,350
倍數: 1,350

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108K Tray
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 45ns 1024K x 8 nvSRAM 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 1,495
倍數: 1,495

FBGA-48 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108L Tray
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 25ns 1024K x 8 nvSRAM 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 1,350
倍數: 1,350

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108L Tray
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 25ns 512K x 16 nvSRAM 前置作業時間 20 週
最少: 1
倍數: 1

FBGA-48 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108N Tray
Infineon Technologies NVRAM 256Kb 1.95V 35ns nvSRAM 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 2,990
倍數: 2,990

FBGA-48 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14U256LA Tray
Infineon Technologies CG9023AT
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 1,050
倍數: 1,050

Tray
Infineon Technologies CY14B104LA-BA45XI
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 45ns 512K x 8 nvSRAM 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 1
倍數: 1

FBGA-48 CY14B104LA Tray
Infineon Technologies CY14B116M-BZ45XI
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 1
倍數: 1

FBGA-165 CY14B11 Tray
Infineon Technologies CY14B116M-ZSP25XI
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 540
倍數: 540

TSOP-II-54 CY14B11 Tray
Infineon Technologies CY14B116N-BA25XI
Infineon Technologies NVRAM NON VOLATILE SRAMS 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 112
倍數: 112

FBGA-60 Tray
Infineon Technologies CY14B116N-ZSP45XI
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 1,080
倍數: 1,080

TSOP-II-54 CY14B116 Tray
Infineon Technologies CY14B116S-BZ25XI
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 1
倍數: 1

FBGA-165 CY14B116 Tray
Infineon Technologies CY14B116S-BZ35XI
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 1
倍數: 1

FBGA-165 Parallel 16 Mbit 512 k x 32 32 bit 35 ns 3.6 V 2.7 V 75 mA - 40 C + 85 C CY14B116 Tray