512 Mbit DRAM

結果: 335
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 類型
存儲容量
數據匯流排寬度
最高時鐘頻率
封裝/外殼
組織
存取時間
電源電壓 - 最小值
電源電壓 - 最大值
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
Alliance Memory DRAM 512M 166MHz 16Mx32 Mobile LP SDRAM IT
規格書
53庫存量
380預期26/8/2026
最少： 1
倍數： 1

SDRAM Mobile 512 Mbit 32 bit 166 MHz FBGA-90 16 M x 32 5.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C AS4C16M32MSA Tray
Alliance Memory DRAM SDR, 512MB, 16M x 32, 3.3V, 86PIN TSOP II, 133 MHZ, Industrial Temp - Tray
規格書
29庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 512 Mbit 32 bit 133 MHz TSOP-II-86 16 M x 32 17 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C AS4C16M32SC Tray
Zentel Japan DRAM DDR2 512Mb, 64Mx8, 800 at CL5, 1.8V, FBGA-60
規格書
63庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 400 MHz FPGA-60 64 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C DDR2 Tray
Alliance Memory DRAM 512Mb, 3.3V, 200Mhz 32M x 16 DDR
規格書
1庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C AS4C32M16D1 Tray
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
規格書
3庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 2,500

SDRAM 512 Mbit 32 bit 167 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32160F Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI DRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 32M x 16 DDR2
規格書
77庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz BGA-84 32 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS46DR16320D Tray
Intelligent Memory DRAM DDR2 512Mb, 1.8V, 32Mx16, 400MHz (800Mbps), 0C to +95C, FBGA-84
規格書
418預期26/5/2026
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz FBGA-60 32 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IM5116D2 Tray
Intelligent Memory DRAM ECC SDRAM, 512Mb, 3.3V, 64Mx8, 133MHz (133Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54
規格書
122預期5/8/2026
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 512 Mbit 8 bit 133 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IME5108SD Tray
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS
規格書
28庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320E
AP Memory APS512XXN-OB9-BG
AP Memory DRAM IoT RAM 512Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
規格書
6,519預期5/6/2026
最少： 1
倍數： 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 512 Mbit 8 bit / 16 bit 250 MHz BGA-24 64 M x 8/32 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM
規格書
662預期17/9/2026
最少： 1
倍數： 1

HyperRAM 512 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 64 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
AP Memory DRAM 512Mb 200MHz 18V ITemp Suggested Alt APS512XXN-OB9-BG same device higher speed
規格書
2,880預期5/6/2026
最少： 1
倍數： 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 512 Mbit 8 bit / 16 bit 200 MHz BGA-24 64 M x 8/32 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
ISSI DRAM SDRAM,512M,3.3V,RoHs 166MHz,16Mx32, IT
規格書
3,693預期11/8/2026
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 512 Mbit 32 bit 167 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32160F Tray
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 143MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS, IT
規格書
1,580預期29/5/2026
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 512 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16320F
ISSI DRAM 512Mb 1.8V 200Mhz Mobile DDR
規格書
1,200預期16/7/2026
最少： 1
倍數： 1

SDRAM Mobile - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz BGA-60 32 M x 16 5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LR16320C Tray
Alliance Memory DRAM DDR2, 512Mb, 32M x 16, 1.8V, 84-ball BGA, 400 MHz, Commercial Temp - Tray
規格書
1,026預期29/5/2026
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 32 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 95 C AS4C32M16D2A Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 32M X 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Industrial Temp (A)
規格書
58預期24/6/2026
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C32M16D1A Tray
ISSI DRAM 512M 1.2/1.8V 32Mx16 400MHz 134ball BGA
規格書
171預期8/10/2026
最少： 1
倍數： 1

SDRAM Mobile - LPDDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz FBGA-134 32 M x 16 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD32160A
Intelligent Memory DRAM ECC SDRAM, 512Mb, 3.3V, 64Mx8, 133MHz (133Mbps), 0C to +70C, TSOPII-54
規格書
前置作業時間 12 週
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 512 Mbit 8 bit 133 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IME5108SD Tray
Intelligent Memory DRAM ECC SDRAM, 512Mb, 3.3V, 32Mx16, 133MHz (133Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 512 Mbit 16 bit 133 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IME5116SD Tray
Zentel Japan DRAM DDR2 512Mb, 32Mx16, 1066 at CL7, 1.8V, FBGA-84
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 2,000
倍數： 2,000

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 533 MHz FPGA-84 32 M x 16 350 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C DDR2 Tray
Zentel Japan DRAM DDR1 512Mb, 32Mx16, 200MHz at CL3, 2.5V, TSOPII-66
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C DDR1 Tray
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 1,500
倍數： 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16320D Reel
ISSI DRAM 512M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
: 2,500

SDRAM Mobile 512 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 2.3 V 3 V 0 C + 70 C IS42RM32160E Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
: 2,500

SDRAM Mobile 512 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 2.7 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42SM32160E Reel