512 Mbit DRAM

結果: 294
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 類型 存儲容量 數據匯流排寬度 最高時鐘頻率 封裝/外殼 組織 存取時間 電源電壓 - 最小值 電源電壓 - 最大值 最低工作溫度 最高工作溫度 系列 封裝
ISSI DRAM 512M, 1.8V, 133Mhz 16Mx32 Mobile SDR 17庫存量
960在途量
最少: 1
倍數: 1

SDRAM Mobile 512 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS42VM32160E Tray
ISSI DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz 32Mx16 Mobile SDR 127庫存量
最少: 1
倍數: 1

SDRAM Mobile 512 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 32 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS42VM16320E Tray
ISSI DRAM 512Mb, 1.8V, 333MHz 32Mx16 DDR2 SDRAM 92庫存量
209預期10/8/2026
最少: 1
倍數: 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 333 MHz BGA-84 32 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C IS43DR16320C Tray
Alliance Memory DRAM DDR2, 512Mb, 32M x 16, 1.8V, 84-ball BGA, 400 MHz, Automotive Temp - Tray 3庫存量
最少: 1
倍數: 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 32 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 105 C AS4C32M16D2A Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 64M x 8, 2.5V, 66pin TSOPII, 200MHz, Industrial Temp - Tray 112庫存量
最少: 1
倍數: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C64M8D1 Tray
Alliance Memory DRAM SDR, 512MB, 16M x 32, 3.3V, 86PIN TSOP II, 133 MHZ, Industrial Temp - Tray 29庫存量
最少: 1
倍數: 1

SDRAM 512 Mbit 32 bit 133 MHz TSOP-II-86 16 M x 32 17 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C AS4C16M32SC Tray
Alliance Memory DRAM 512Mb, 3.3V, 200Mhz 32M x 16 DDR 1庫存量
最少: 1
倍數: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C AS4C32M16D1 Tray
Zentel Japan DRAM DDR2 512Mb, 64Mx8, 800 at CL5, 1.8V, FBGA-60 63庫存量
最少: 1
倍數: 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 400 MHz FPGA-60 64 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C DDR2 Tray
ISSI DRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 32M x 16 DDR2 77庫存量
最少: 1
倍數: 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz BGA-84 32 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS46DR16320D Tray
ISSI DRAM 512M (32Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM 100庫存量
最少: 1
倍數: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16320D Tray
Intelligent Memory DRAM ECC SDRAM, 512Mb, 3.3V, 64Mx8, 133MHz (133Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54
122預期28/9/2026
最少: 1
倍數: 1

SDRAM 512 Mbit 8 bit 133 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IME5108SD Tray
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS 28庫存量
最少: 1
倍數: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320E
ISSI DRAM 512M (32Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM 59庫存量
最少: 1
倍數: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 512M (32Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM 28庫存量
最少: 1
倍數: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 512M (64Mx8) 200MHz 2.5v DDR SDRAM 96庫存量
最少: 1
倍數: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Tray
AP Memory APS512XXN-OB9-BG
AP Memory DRAM IoT RAM 512Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
6,449在途量
最少: 1
倍數: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 512 Mbit 8 bit / 16 bit 250 MHz BGA-24 64 M x 8/32 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm), RoHS, IT
3,050在途量
最少: 1
倍數: 1

SDRAM 512 Mbit 16 bit 167 MHz BGA-54 32 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16320F Tray
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 143MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS
2,785在途量
最少: 1
倍數: 1

SDRAM 512 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16320F Tray
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 143MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS, IT
3,456預期12/7/2027
最少: 1
倍數: 1

SDRAM 512 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16320F
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 143MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R 6庫存量
6,000在途量
最少: 1
倍數: 1
: 1,500

SDRAM 512 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16320F Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
2,874在途量
最少: 1
倍數: 1

SDRAM 512 Mbit 32 bit 167 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32160F
ISSI DRAM SDRAM,512M,3.3V,RoHs 166MHz,16Mx32, IT
3,480預期11/8/2026
最少: 1
倍數: 1

SDRAM 512 Mbit 32 bit 167 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32160F Tray
Alliance Memory DRAM 512M 3.3V 133MHz 32M x 16 SDRAM 前置作業時間 8 週
最少: 1
倍數: 1

SDRAM 512 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C AS4C32M16SB Tray
Alliance Memory DRAM 512M 3.3V 143MHz 32M x 16 SDRAM
540預期7/9/2026
最少: 1
倍數: 1

SDRAM 512 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C AS4C32M16SB Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 64M x 8, 2.5v, 60ball TFBGA, 200MHz, Industrial Temp - Tray
581預期2/9/2026
最少: 1
倍數: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-60 64 M x 8 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C64M8D1 Tray