256 Mbit DRAM

結果: 280
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 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 類型
存儲容量
數據匯流排寬度
最高時鐘頻率
封裝/外殼
組織
存取時間
電源電壓 - 最小值
電源電壓 - 最大值
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 1,500
倍數： 1,500
: 1,500

SDRAM 256 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32800J Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz @ CL2, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 256 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 8 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32800J Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz @ CL2, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
: 2,500

SDRAM 256 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 8 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32800J Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz @ CL2, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
: 2,500
SDRAM 256 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 8 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32800J Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz @ CL2, 86 pin TSOP II RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 1
倍數： 1
SDRAM 256 Mbit 32 bit 133 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32800J
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz @ CL2, 86 pin TSOP II RoHS, IT
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 256 Mbit 32 bit 133 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32800J
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz @ CL2, 86 pin TSOP II RoHS, IT, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 1,500
倍數： 1,500
: 1,500

SDRAM 256 Mbit 32 bit 133 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32800J Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz @ CL2, 86 pin TSOP II RoHS, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 1,500
倍數： 1,500
: 1,500
SDRAM 256 Mbit 32 bit 133 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32800J Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
: 2,500

SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32800J Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
: 2,500

SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32800J Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 1,500
倍數： 1,500
: 1,500

SDRAM 256 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S83200J Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 1,500
倍數： 1,500
: 1,500

SDRAM 256 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S83200J Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 143MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 1,500
倍數： 1,500
: 1,500

SDRAM 256 Mbit 8 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S83200J Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 143MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 1,500
倍數： 1,500
: 1,500

SDRAM 256 Mbit 8 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S83200J Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 24 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
: 2,500

SDRAM Mobile 256 Mbit 16 bit 133 MHz BGA-54 16 M x 16 5.5 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42SM16160K Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 24 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
: 2,500

SDRAM Mobile 256 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 8 M x 32 6 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42SM32800K Reel
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 24 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
: 2,500

SDRAM Mobile 256 Mbit 16 bit 133 MHz BGA-54 16 M x 16 5.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS42VM16160K Reel
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 24 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
: 2,500

SDRAM Mobile 256 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 8 M x 32 5.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS42VM32800K Reel
ISSI DRAM 256M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 16Mx16, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 28 週
最少： 2,000
倍數： 2,000
: 2,000

SDRAM Mobile - LPDDR2 256 Mbit 16 bit 400 MHz FBGA-134 16 M x 16 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD16160B Reel
ISSI DRAM 256M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 8Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 40 週
最少： 2,000
倍數： 2,000
: 2,000

SDRAM Mobile - LPDDR2 256 Mbit 32 bit 400 MHz FBGA-134 8 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD16160B Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 24 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
: 2,500

SDRAM 256 Mbit 8 bit/16 bit 166 MHz BGA-54 32 M x 8/16 M x 16 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166MHz, 54 pin TSOP II RoHS, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 24 週
最少： 1,500
倍數： 1,500
: 1,500

SDRAM 256 Mbit 8 bit/16 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 8/16 M x 16 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 24 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
: 2,500

SDRAM 256 Mbit 8 bit/16 bit 143 MHz BGA-54 32 M x 8/16 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 24 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
: 2,500

SDRAM 256 Mbit 8 bit/16 bit 143 MHz BGA-54 32 M x 8/16 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 24 週
最少： 1,500
倍數： 1,500
: 1,500

SDRAM 256 Mbit 8 bit/16 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 8/16 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel