256 Mbit DRAM

結果: 313
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 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 類型
存儲容量
數據匯流排寬度
最高時鐘頻率
封裝/外殼
組織
存取時間
電源電壓 - 最小值
電源電壓 - 最大值
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
ISSI DRAM 256M, 1.8V, 166Mhz 16Mx16 Mobile SDR
規格書
348預期26/11/2026
最少： 1
倍數： 1

SDRAM Mobile 256 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 16 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS42VM16160K Tray
ISSI IS66WVH32M8DALL-166B1LI
ISSI DRAM 256Mb, HyperRAM, 32Mbx8, 1.8V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
規格書
480預期16/10/2026
最少： 1
倍數： 1
HyperRAM 256 Mbit 8 bit 166 MHz 32 M x 8 36 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166MHz, 54 pin TSOP II RoHS
規格書
216預期3/9/2026
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 256 Mbit 8 bit/16 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 8/16 M x 16 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS
規格書
108預期10/9/2026
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 256 Mbit 8 bit/16 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 8/16 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
Alliance Memory DRAM LPDDR2, 256M, 8M X 32, 1.2V, 168-Ball POP FBGA Extended temp - Tray
規格書
無庫存前置作業時間 35 週
最少： 1
倍數： 1

SDRAM Mobile - LPDDR2 256 Mbit 32 bit 400 MHz FBGA-168 8 M x 32 5.5 ns 1.2 V 1.8 V - 25 C + 85 C AS4C8M32MD2A Tray
Intelligent Memory DRAM SDRAM, 256Mb, 3.3V, 16Mx16, 166MHz (166Mbps), 0C to +70C, FBGA-54
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 256 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-54 16 M x 16 5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IM2516SD Tray
Intelligent Memory DRAM SDRAM, 256Mb, 3.3V, 16Mx16, 166Mhz (1666Mbps), -40C to +85C, FBGA-54
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 256 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-54 16 M x 16 5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IM2516SD Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1
倍數： 1

HyperRAM 256 Mbit 200 MHz FBGA-24 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC)
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 4,800
倍數： 4,800

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 32 M x 8 6.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Suggested Alt APS256XXN-OB9-WA same density NRND 無庫存前置作業時間 20 週
最少： 5,000
倍數： 5,000
: 5,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 200 MHz WLCSP-24 32 M x 8/16 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel
Infineon Technologies S80KS2564GACHA040
Infineon Technologies DRAM SPCM
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 260
倍數： 260

HyperRAM 256 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-49 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies S80KS2564GACHA043
Infineon Technologies DRAM SPCM
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
: 2,500

HyperRAM 256 Mbit 32 bit 200 MHz FBGA-49 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Reel
Infineon Technologies S80KS2564GACHB040
Infineon Technologies DRAM SPCM
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 260
倍數： 260

HyperRAM 256 Mbit 32 bit 200 MHz FBGA-49 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies S80KS2564GACHB043
Infineon Technologies DRAM SPCM
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
: 2,500

HyperRAM 256 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-49 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Reel
Infineon Technologies S80KS2562GABHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1
倍數： 1

HyperRAM 256 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 32 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
AP Memory APS256XXN-OB9-WA
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP 無庫存前置作業時間 20 週
最少： 5,000
倍數： 5,000
: 5,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 250 MHz WLCSP-24 32 M x 8/16 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel
AP Memory APS256XXN-OBX9-BG
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ext.. Temp., BGA24
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 4,800
倍數： 4,800

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 250 MHz BGA-24 32 M x 8/16 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 105 C IoT RAM Tray
ISSI DRAM 256M 16Mx16 166Mhz SDR SDRAM, 3.3V
規格書
無庫存前置作業時間 6 週
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 256 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 16 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16160G Tray
ISSI DRAM 256M 16Mx16 143Mhz SDR SDRAM, 3.3V
規格書
前置作業時間 8 週
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 256 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-54 16 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16160G Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 256Mb, 16M x 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Commercial Temp (A), TAPE & REEL
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 1,000

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C AS4C16M16D1A Reel, Cut Tape, MouseReel
Alliance Memory DRAM SDR, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54ball BGA, 166 Mhz, automotive temp(.63), T&R, A Die
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
: 2,500

SDRAM 256 Mbit 16 bit 166 MHz TFBGA-54 16 M x 16 5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C Reel
Alliance Memory DRAM SDR, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, automotive temp(.63), T&R, A Die
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 1,000
倍數： 1,000
: 1,000

SDRAM 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 16 M x 16 5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C Reel
Alliance Memory DRAM SDR, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54-ball FBGA, 143 MHz, Commercial Temp(.63) Tape and Reel, A Die
規格書
無庫存前置作業時間 6 週
最少： 2,500
倍數： 2,500
: 2,500

SDRAM 256 Mbit 16 bit 143 MHz TFBGA-54 16 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel
Alliance Memory DRAM SDR, 256M, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 143Mhz, Commerical Temp(.63) Tape and Reel, A Die
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 1,000

SDRAM 256 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 16 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Alliance Memory DRAM SDRAM, 256M, 32M X8, 3.3V, 54 PIN TSOP II, 166MHZ, INDUSTRIAL TEMP - Tape & Reel
規格書
無庫存前置作業時間 10 週
最少： 1,000
倍數： 1,000
: 1,000

SDRAM 256 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C AS4C32M8SA Reel