2 Gbit DRAM

結果: 188
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 類型 存儲容量 數據匯流排寬度 最高時鐘頻率 封裝/外殼 組織 存取時間 電源電壓 - 最小值 電源電壓 - 最大值 最低工作溫度 最高工作溫度 系列 封裝
Intelligent Memory DRAM DDR3 2Gb, 1.35V/1.5V, 128Mx16, 800MHz (1600Mbps), 0C to +95C, FBGA-96 前置作業時間 8 週
最少: 1
倍數: 1

SDRAM - DDR3L 2 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 128 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C IM2G16D3 Tray
Intelligent Memory DRAM DDR2 2Gb, 1.8V, 512Mx4, 400MHz (800Mbps), 0C to +95C, FBGA-60 無庫存前置作業時間 26 週
最少: 264
倍數: 264

SDRAM - DDR2 2 Gbit 4 bit 400 MHz FBGA-60 512 M x 4 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 95 C IM2G04D2 Tray
Intelligent Memory DRAM DDR2 2Gb, 1.8V, 256Mx8, 400MHz (800Mbps), -40C to +95C, FBGA-60 無庫存前置作業時間 26 週
最少: 1
倍數: 1

SDRAM - DDR2 2 Gbit 8 bit 400 MHz FBGA-60 256 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IM2G08D2 Tray
Intelligent Memory DRAM DDR2 2Gb, 1.8V, 128Mx16, 400MHz (800Mbps), -40C to +95C, FBGA-84 無庫存前置作業時間 26 週
最少: 1
倍數: 1

SDRAM - DDR2 2 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 128 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IM2G16D2 Tray
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 2Gb, 256Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,420
倍數: 2,420

SDRAM - DDR3L 2 Gbit 8 bit 933 MHz FPGA-78 256 M x 8 1.283 V 1.575 V 0 C + 95 C DDR3(L) Tray
Zentel Japan DRAM DDR3 2Gb, 256Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,420
倍數: 2,420

SDRAM - DDR3 2 Gbit 8 bit 1.066 GHz FPGA-78 256 M x 8 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C DDR3 Tray
Zentel Japan DRAM DDR3L 2Gb, 256Mx8, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-78 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,420
倍數: 2,420

SDRAM - DDR3L 2 Gbit 8 bit 1.066 GHz FPGA-78 256 M x 8 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C DDR3L Tray
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 2Gb, 128Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96 前置作業時間 12 週
最少: 1
倍數: 1

SDRAM - DDR3L 2 Gbit 16 bit 933 MHz FPGA-96 128 M x 16 1.283 V 1.575 V 0 C + 95 C DDR3(L) Tray
Zentel Japan DRAM DDR3 2Gb, 128Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,090
倍數: 2,090

SDRAM - DDR3 2 Gbit 16 bit 1.066 GHz FPGA-96 128 M x 16 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C DDR3 Tray
Zentel Japan DRAM DDR3L 2Gb, 128Mx16, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-96 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,090
倍數: 2,090

SDRAM - DDR3L 2 Gbit 16 bit 1.066 GHz FPGA-96 128 M x 16 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C DDR3L Tray
Alliance Memory DRAM DDR2, 2GB, 1.8V 400MHz,256M x 8 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR2 2 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 256 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C AS4C128M16D2A-25 Reel
Alliance Memory DRAM DDR2, 2GB, 1.8V 400MHz,256M x 8 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

SDRAM - DDR2 2 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-84 256 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 95 C AS4C128M16D2A-25 Reel
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 2Gb, 256Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78, Ind. Temp. 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 2,420
倍數: 2,420

SDRAM - DDR3L 2 Gbit 8 bit 933 MHz FPGA-78 256 M x 8 1.283 V 1.575 V - 40 C + 95 C DDR3(L) Tray
Zentel Japan DRAM DDR3 2Gb, 256Mx8, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-78, Ind. Temp. 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 2,420
倍數: 2,420

SDRAM - DDR3 2 Gbit 8 bit 1.066 GHz FPGA-78 256 M x 8 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C DDR3 Tray
Zentel Japan DRAM DDR3 2Gb, 128Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96, Ind. Temp. 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 2,090
倍數: 2,090

SDRAM - DDR3 2 Gbit 16 bit 1.066 GHz FPGA-96 128 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C DDR3 Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 40 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

SDRAM - LPDDR4 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 40 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

SDRAM - LPDDR4 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 1.06 V 1.17 V - 40 C + 105 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 無庫存前置作業時間 40 週
最少: 136
倍數: 136

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 40 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 無庫存前置作業時間 40 週
最少: 136
倍數: 136

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 105 C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 40 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 105 C Reel
ISSI DRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 40 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +115C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 無庫存前置作業時間 24 週
最少: 190
倍數: 190
SDRAM - DDR3 2 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 128 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 105 C IS46TR16128C
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +115C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 24 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500
SDRAM - DDR3 2 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 128 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 105 C IS46TR16128C Reel
ISSI DRAM DDR2,2G,1.8V, RoHs 333MHz,128Mx16 無庫存前置作業時間 24 週
最少: 1
倍數: 1

SDRAM - DDR2 2 Gbit 16 bit 333 MHz BGA-84 128 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR16128C