+ 125 C DRAM

結果: 7
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 類型 存儲容量 數據匯流排寬度 最高時鐘頻率 封裝/外殼 組織 存取時間 電源電壓 - 最小值 電源電壓 - 最大值 最低工作溫度 最高工作溫度 系列 封裝
ISSI DRAM 4Gb, 256Mx16, 1.35V, Automotive, A3 Range: ( 40 C = TC = 125 C), 1866MT/s, 96-ball BGA, Lead-free, DDR3L 8庫存量
190預期17/8/2026
最少: 1
倍數: 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 256 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 125 C IS46TR16256BL Tray
Micron DRAM DDR3 4Gbit 16 96/144TFBGA 1 UT 1,289庫存量
最少: 1
倍數: 1
最大: 100

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 933 MHz FBGA-96 256 M x 16 13.91 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 125 C MT41K Tray
Micron DRAM DDR3 2Gbit 16 96/144FBGA 1 UT 325庫存量
最少: 1
倍數: 1
最大: 100

SDRAM - DDR3L 2 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 128 M x 16 13.75 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 125 C MT41K Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +125C), 1G, 1.5V, DDR3 w/ ECC, 64Mx16, 1333MT/s @ 9-9-9, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 40 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 125 C IS46TR16640ED Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +125C), 1G, 1.5V, DDR3 w/ ECC, 64Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 無庫存前置作業時間 40 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 125 C IS46TR16640ED Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +125C), 1G, 1.5V, DDR3 w/ ECC, 64Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 無庫存前置作業時間 40 週
最少: 190
倍數: 190

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 125 C IS46TR16640ED
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +125C), 1G, 1.5V, DDR3 w/ ECC, 64Mx16, 1333MT/s @ 9-9-9, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 無庫存前置作業時間 40 週
最少: 1
倍數: 1

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 125 C IS46TR16640ED