IS66WVH8M8BLL-100B1LI

ISSI
870-WVH8M8BLL100B1LI
IS66WVH8M8BLL-100B1LI

製造商:

說明:
DRAM 64Mb 8Mbx8 3.0V 100MHz HyperRAM

ECAD模型:
下載免費的庫載入器,為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

庫存量: 781

庫存:
781
可立即送貨
在途量:
480
預期17/4/2026
工廠前置作業時間:
14
工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少: 1   多個: 1   上限: 423
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$43.81 HK$43.81
HK$40.28 HK$402.80
HK$39.05 HK$976.25
HK$38.14 HK$1,907.00
HK$37.24 HK$3,724.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
ISSI
產品類型: DRAM
RoHS:  
HyperRAM
64 Mbit
8 bit
100 MHz
TFGBA-24
8 M x 8
40 ns
2.7 V
3.6 V
- 40 C
+ 85 C
IS66WVH8M8BLL
品牌: ISSI
濕度敏感: Yes
安裝風格: SMD/SMT
產品類型: DRAM
原廠包裝數量: 480
子類別: Memory & Data Storage
電源電流 - 最大值: 35 mA
公司名稱: HyperRAM
每件重量: 84 mg
找到產品:
若要顯示類似商品,請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

此功能需要啟用JavaScript。

CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320002
JPHTS:
854232029
KRHTS:
8542321020
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

HYPERRAM™ Self-refresh DRAM

ISSI HYPERRAM™ Self-Refresh DRAMs are high-speed CMOS with a HYPERBUS™ interface. The HYPERBUS is a low signal count, Double Data Rate (DDR) interface that allows high-speed read and write throughput. These devices are available in KGD/KTD and 24-pin BGA packages with 32Mb, 64Mb, 128Mb, and 256Mb densities. Other features include hidden refresh operation and low power consumption. These memory devices are ideal for mobile and automotive applications.