DRAM

結果: 3
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 存儲容量
最高時鐘頻率
封裝/外殼
電源電壓 - 最小值
電源電壓 - 最大值
最低工作溫度
最高工作溫度
ISSI DRAM 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 1
倍數： 1
2 Gbit 1.6 GHz BGA-200 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 38 週
最少： 1
倍數： 1
4 Gbit 1.6 GHz BGA-200 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 52 週
最少： 1
倍數： 1

4 Gbit 1.6 GHz BGA-200 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C