32 bit DRAM

結果: 405
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 類型 存儲容量 數據匯流排寬度 最高時鐘頻率 封裝/外殼 組織 存取時間 電源電壓 - 最小值 電源電壓 - 最大值 最低工作溫度 最高工作溫度 系列 封裝
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 240
倍數: 240

SDRAM 128 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 4 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 1
倍數: 1

SDRAM 128 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 4 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

SDRAM 128 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 4 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

SDRAM 128 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 4 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500

SDRAM 128 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 4 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel
ISSI DRAM 256M 8Mx32 143Mhz SDR SDRAM, 3.3V 暫無庫存
最少: 240
倍數: 240

SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 8 M x 32 5.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32800G Tray
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 暫無庫存
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

SDRAM 256 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32800G Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm), T&R 暫無庫存
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

SDRAM 256 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32800G Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R 暫無庫存
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 8 M x 32 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32800G Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 暫無庫存
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 8 M x 32 5.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32800G Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 240
倍數: 240
SDRAM 256 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II RoHS 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 1
倍數: 1

SDRAM 256 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, IT 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 1
倍數: 1

SDRAM 256 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 240
倍數: 240

SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 8 M x 32 5.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II RoHS 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 1
倍數: 1

SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 5.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, IT 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 1
倍數: 1

SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm), T&R 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500
SDRAM 256 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500

SDRAM 256 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500

SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 8 M x 32 5.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, T&R 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 1,500
倍數: 1,500
: 1,500

SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 5.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 暫無庫存
最少: 240
倍數: 240

SDRAM Mobile 512 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 16 M x 32 5.4 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS42VM32160D Tray
ISSI DRAM 2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 64Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS 暫無庫存
最少: 171
倍數: 171

SDRAM Mobile - LPDDR2 2 Gbit 32 bit 533 MHz BGA-134 64 M x 32 1.14 V 1.95 V 0 C + 85 C IS43LD32640B Bulk
ISSI DRAM 2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 64Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS 暫無庫存
最少: 171
倍數: 171

SDRAM Mobile - LPDDR2 2 Gbit 32 bit 400 MHz BGA-134 64 M x 32 1.14 V 1.95 V 0 C + 85 C IS43LD32640B Bulk
ISSI DRAM SUGGESTED ALTERNATE IS43LQ32128A-062TBLI 無庫存前置作業時間 36 週
最少: 136
倍數: 136

SDRAM - LPDDR4 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz 128 M x 32 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 無庫存前置作業時間 24 週
最少: 1
倍數: 1

SDRAM Mobile - LPDDR 512 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR32160C Tray