Bulk 記憶體 IC

結果: 141
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 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS 產品
產品類型
安裝風格
封裝/外殼
存儲容量
接口類型
Infineon Technologies CYDP1544
Infineon Technologies 記憶體 IC 開發工具 Development Kit 暫無庫存
最少： 1
倍數： 1
否
Memory IC Development Tools
Infineon Technologies CYDP1545
Infineon Technologies 記憶體 IC 開發工具 Development Kit 暫無庫存
最少： 1
倍數： 1
否
Memory IC Development Tools
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333Mhz @ CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 24 週
最少： 209
倍數： 209

DRAM SMD/SMT BGA-84 512 Mbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333Mhz @ CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 24 週
最少： 209
倍數： 209

DRAM SMD/SMT BGA-84 512 Mbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 400Mhz @ CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 24 週
最少： 209
倍數： 209

DRAM SMD/SMT BGA-84 512 Mbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 400Mhz @ CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 24 週
最少： 209
倍數： 209

DRAM SMD/SMT BGA-84 512 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x18, Common I/O, 400MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
規格書
暫無庫存
最少： 104
倍數： 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 288 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x18, Common I/O, 300MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
規格書
暫無庫存
最少： 104
倍數： 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 288 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 28 週
最少： 104
倍數： 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 300MHz, RoHS, wBGA
規格書
暫無庫存
最少： 104
倍數： 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 400MHz, tRC=15ns, RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 28 週
最少： 104
倍數： 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x9, Common I/O, 400MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
規格書
暫無庫存
最少： 104
倍數： 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 288 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x9, Common I/O, 300MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
規格書
暫無庫存
最少： 104
倍數： 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 288 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x9, Common I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 28 週
最少： 104
倍數： 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x9, Common I/O, 300MHz, RoHS, wBGA
規格書
暫無庫存
最少： 104
倍數： 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 28 週
最少： 104
倍數： 104

DRAM SMD/SMT FBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 300MHz, RoHS, wBGA
規格書
暫無庫存
最少： 104
倍數： 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x9, Separate I/O, 400MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
規格書
暫無庫存
最少： 104
倍數： 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 288 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x9, Separate I/O, 300MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
規格書
暫無庫存
最少： 104
倍數： 104

DRAM SMD/SMT FBGA-144 288 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x9, Separate I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 28 週
最少： 104
倍數： 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x9, Separate I/O, 300MHz, RoHS, wBGA
規格書
暫無庫存
最少： 104
倍數： 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC, 256K x 16, 20ns, 1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 480
倍數： 480

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 480
倍數： 480

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 8 Mbit Parallel

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 135
倍數： 135

SRAM SMD/SMT TSOP-44 8 Mbit Parallel
ISSI NOR快閃 128M 3V 133MHz Serial Flash
規格書
暫無庫存
最少： 480
倍數： 480

NOR Flash SMD/SMT TFBGA-24 128 Mbit QPI, SPI