IS66WVC2M16EALL-7010BLI

Name: ISSI IS66WVC2M16EALL-7010BLI
Brand: ISSI
SKU: 870-VC2M16EAL7010BLI
Price: 54.17 HKD
Availability: OutOfStock

Mouser 編號：

870-VC2M16EAL7010BLI

製造商編號：

IS66WVC2M16EALL-7010BLI

製造商：

ISSI

說明：

SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,2M x 16,70ns,1.7v 1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

規格書:

IS66WVC2M16EALL-7010BLI 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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Pricing (HKD)

數量	單價	總價
	HK$54.17	HK$26,001.60
	HK$53.02	HK$50,899.20

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	ISSI
產品類型:	SRAM
RoHS:
存儲容量:	32 Mbit
組織:	2 M x 16
存取時間:	70 ns
接口類型:	Parallel
電源電壓 - 最大值:	1.95 V
電源電壓 - 最小值:	1.7 V
電源電流 - 最大值:	30 mA
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 85 C
安裝風格:	SMD/SMT
品牌:	ISSI
濕度敏感:	Yes
產品類型:	SRAM
系列:	IS66WVC2M16EALL
原廠包裝數量:	480
子類別:	Memory & Data Storage
每件重量:	3.221 g

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規格書

IS66WVC2M16EALL-7010BLI 規格書 (PDF)

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合規守則

CNHTS:: 8542329000
CAHTS:: 8542320041
USHTS:: 8542320041
JPHTS:: 854232029
KRHTS:: 8542321020
TARIC:: 8542324500
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 中國台灣
封裝原產國:: 無資料
擴散國:: 中國台灣

出貨時，國家可能會有所變更。

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.