AT28C256 256K EEPROM Memory

Microchip AT28C256 256K EEPROM Memory devices are high-performance, Electrically Erasable, and Programmable Read-only Memory (EEPROM). The EEPROM 256K of memory is organized as 32,768 words by 8-bits. These devices are manufactured with Atmel's advanced non-volatile CMOS technology, offering 150ns access time with 440mW power dissipation. The AT28C256 memory devices are accessed like static RAM for reading or writing cycles without needing external components. These AT28C256 devices contain a 64-byte page register to allow writing up to 64 bytes. The EEPROM devices utilize an internal error correction for extended endurance and improved data retention. 

結果: 66
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 存儲容量 接口類型 最高時鐘頻率 組織 封裝/外殼 存取時間 電源電壓 - 最小值 電源電壓 - 最大值 安裝風格 數據保留 最低工作溫度 最高工作溫度 系列 封裝

Microchip Technology EEPROM 200NS CERDIP
無庫存前置作業時間 23 週
最少: 14
倍數: 14

256 kbit Parallel 5 MHz 32 k x 8 DIP-28 200 ns 4.5 V 5.5 V Through Hole 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube

Microchip Technology EEPROM 250NS CERDIP
無庫存前置作業時間 23 週
最少: 14
倍數: 14

256 kbit 32 k x 8 DIP-28 150 ns 4.5 V 5.5 V Through Hole 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 250NS, LCC, 883C; LEV B COMPLIANT
無庫存前置作業時間 23 週
最少: 34
倍數: 34

LCC-32 AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 250NS, PGA, 883C; LEV B COMPLIANT
無庫存前置作業時間 23 週
最少: 20
倍數: 20

PGA-28 AT28C256 Bulk

Microchip Technology EEPROM 150NS CERDIP
無庫存前置作業時間 23 週
最少: 14
倍數: 14

256 kbit Parallel 5 MHz 32 k x 8 DIP-28 150 ns 4.5 V 5.5 V Through Hole 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 150NS, LCC, 883C; LEV B COMPLIANT
無庫存前置作業時間 23 週
最少: 34
倍數: 34

LCC-32 AT28C256 Tube

Microchip Technology EEPROM 150NS, PLCC, IND TEMP, GREEN 無庫存前置作業時間 21 週
最少: 750
倍數: 750
: 750

256 kbit Parallel 32 k x 8 PLCC-32 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 40 C + 85 C AT28C256 Reel
Microchip Technology EEPROM 256K 11MIL GRIND - 200NS
無庫存前置作業時間 23 週
最少: 15
倍數: 15
256 kbit Parallel 32 k x 8 FlatPack-28 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K 11MIL GRIND - 250NS
無庫存前置作業時間 23 週
最少: 15
倍數: 15
256 kbit Parallel 32 k x 8 FlatPack-28 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP - 150NS
無庫存前置作業時間 23 週
最少: 15
倍數: 15
256 kbit Parallel 32 k x 8 FlatPack-28 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP - 200NS
無庫存前置作業時間 23 週
最少: 15
倍數: 15
256 kbit Parallel 32 k x 8 FlatPack-28 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP - 250NS
無庫存前置作業時間 23 週
最少: 15
倍數: 15
256 kbit Parallel 32 k x 8 FlatPack-28 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K FAST PROG SDP - 150NS
無庫存前置作業時間 23 週
最少: 14
倍數: 14
256 kbit Parallel 32 k x 8 CDIP-28 150 ns 4.5 V 5.5 V Through Hole 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube
Microchip Technology EEPROM 256K FAST PROG SDP - 150NS
無庫存前置作業時間 23 週
最少: 15
倍數: 15
256 kbit Parallel 32 k x 8 FlatPack-28 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube

Microchip Technology EEPROM 150NS, PLCC, IND TEMP, GREEN - -40 to +125C 無庫存前置作業時間 24 週

PLCC-32 AT28C256 Reel
Microchip Technology EEPROM 256K 11MIL GRIND - 150NS
無庫存前置作業時間 23 週
最少: 15
倍數: 15
256 kbit Parallel 32 k x 8 FlatPack-28 150 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 10 Year - 55 C + 125 C AT28C256 Tube