3.3V Single Data Rate (SDR) Synchronous DRAM

ISSI 3.3V Single Data Rate (SDR) Synchronous DRAM provides a wide selection of SDR SDRAM with densities from 16Mbit to 512Mbit in 1Mx16, 4Mx16, and 8Mx16 organizations. Each device features a single supply voltage (3.3V +/-0.3V), standard SDRAM clock timing, LVTTL compatible inputs, programmable burst length of 1, 2, 4, 8, or full page, auto-refresh and self-refresh modes. ISSI 3.3V SDR Synchronous DRAM has a programmable CAS latency of 2 or 3. Typical applications for these devices include wireless access points, base stations, routers, network storage, energy management, industrial controls, car infotainment, and automotive telematics.

結果: 2
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 類型 存儲容量 數據匯流排寬度 最高時鐘頻率 封裝/外殼 組織 存取時間 電源電壓 - 最小值 電源電壓 - 最大值 最低工作溫度 最高工作溫度 系列 封裝
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II, RoHS, IT 237庫存量
最少: 1
倍數: 1
最大: 16

SDRAM 512 Mbit 32 bit 167 MHz TSOP-II-86 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32160F
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz at CL2 , 86 pin TSOP II, RoHS, IT 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 108
倍數: 108
: 108

SDRAM 512 Mbit 32 bit 133 MHz TSOP-II-86 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32160F Reel