並聯P-SRAM記憶體

Avalanche Technology並聯持久SRAM記憶體是一款磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)，可提供1Mbit至32Mbit的密度範圍。P-SRAM記憶體操作電壓範圍為2.7V至3.6V。P-SRAM記憶體裝置採用小尺寸54引腳TSOP、44引腳TSOP和48球FBGA封裝。這些封裝可與類似的低功率揮發性和非揮發性產品相容。並聯持久SRAM記憶體裝置的工業溫度範圍為-40°C至85°C，工業進階版操作溫度範圍為-40°C至105°C。

結果: 4
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 封裝/外殼
接口類型
存儲容量
組織
數據匯流排寬度
存取時間
電源電壓 - 最小值
電源電壓 - 最大值
運作供電電流
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
Avalanche Technology MRAM Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 4Mb in 44TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 85 C
規格書
123庫存量
最少： 1
倍數： 1

TSOP-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3004316 Tray
Avalanche Technology MRAM Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 1Mb in 44TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 85 C
規格書
暫無庫存
最少： 1,350
倍數： 135

TSOP-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3001316 Tray
Avalanche Technology MRAM Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 1Mb in 44TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C
規格書
暫無庫存
最少： 1,350
倍數： 135

TSOP-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3001316 Tray
Avalanche Technology MRAM Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 4Mb in 44TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C
規格書
暫無庫存
最少： 1,350
倍數： 135

TSOP-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3004316 Tray